NTMD6N04 和 NVMD6N04 MOSFET：低电压高速开关的理想之选

在电子工程领域，MOSFET 作为重要的电子元件，广泛应用于各类电路中。今天我们来深入了解一下 NTMD6N04 和 NVMD6N04 这两款 MOSFET，看看它们有哪些独特的特性和应用场景。

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产品概述

NTMD6N04 和 NVMD6N04 是双 N 沟道功率 MOSFET，采用 SOIC - 8 表面贴装封装。它们的额定电压为 40V，连续电流可达 5.8A，非常适合低电压、高速开关应用。

产品特性

超低导通电阻

这两款 MOSFET 的导通电阻极低，在 $V{GS}=10V$ 时，典型导通电阻 $R{DS(on)} = 0.027Omega$；在 $V{GS}=4.5V$ 时，典型导通电阻 $R{DS(on)} = 0.034Omega$。超低的导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗更小，能够提高电路的效率，延长电池的使用寿命。这对于对功耗敏感的设备，如便携式电子设备来说非常重要。你在设计这类设备时，是否会优先考虑低导通电阻的 MOSFET 呢？

高速开关性能

它们具备出色的开关特性，能够实现快速的导通和关断。例如，在 $V{DD}=20Vdc$，$I{D}=5.8A$，$V{GS}=10V$，$R{G}=62Omega$ 的条件下，开启延迟时间 $t{d(on)}$ 为 10 - 18ns，上升时间 $t{r}$ 为 20 - 35ns，关断延迟时间 $t{d(off)}$ 为 45 - 70ns，下降时间 $t{f}$ 为 40 - 65ns。这种高速开关性能使得它们能够满足高频开关应用的需求。

小型封装

采用微型 SOIC - 8 表面贴装封装，节省了电路板空间。在如今追求小型化、集成化的电子设备设计中，这种封装形式能够有效减小电路板的尺寸，提高空间利用率。

二极管特性

内置的二极管具有高速和软恢复特性，适用于桥式电路。其反向恢复时间短，反向恢复存储电荷小，能够减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰。

汽车级应用

NVMD 前缀的产品适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了 AEC - Q101 认证，具备 PPAP 能力。这意味着它们能够满足汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。

环保合规

这两款产品都是无铅的，并且符合 RoHS 标准，符合现代电子产业对环保的要求。

主要参数

最大额定值

额定参数	符号	值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	40	V
栅源连续电压	$V_{GS}$	±20	V
连续漏极电流（$T_{A}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	5.8	Adc
单脉冲漏极电流（$t_{p} ≤10mu s$）	$I_{DM}$	29	Apk
总功率耗散（$T_{A}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	2.0（Note 1） 1.29（Note 2）	W
工作和存储温度范围	$T{J}$，$T{stg}$	- 55 至 + 150	°C
单脉冲漏源雪崩能量	$E_{AS}$	245	mJ
结到环境热阻	$R_{JA}$	62.5（Note 1） 97（Note 2）	°C/W
焊接用最大引脚温度（10s）	$T_{L}$	260	°C

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（$V{GS}=0Vdc$，$I{D}=250mu A$）：典型值为 40V，最大值为 45V。
• 零栅压漏极电流（$V{DS}=40Vdc$，$V{GS}=0Vdc$，$T{J}=25^{circ}C$）：最大值为 1.0Adc；在 $T{J}=125^{circ}C$ 时，最大值为 10Adc。
• 栅体泄漏电流（$V{GS}=±20Vdc$，$V{DS}=0Vdc$）：最大值为 100nAdc。

导通特性

• 栅阈值电压（$V{DS}=V{GS}$，$I_{D}=250mu A$）：典型值为 1.9V，最大值为 3.0V。
• 静态漏源导通电阻：在 $V{GS}=10Vdc$，$I{D}=5.8Adc$ 时，典型值为 0.027Ω，最大值为 0.034Ω；在 $V{GS}=4.5Vdc$，$I{D}=3.9Adc$ 时，典型值为 0.034Ω，最大值为 0.043Ω。
• 正向跨导（$V{DS}=10Vdc$，$I{D}=5.8Adc$）：典型值为 8.12Mhos。

动态特性

• 输入电容 $C_{iss}$：典型值为 723pF，最大值为 900pF。
• 输出电容 $C{oss}$（$V{DS}=32Vdc$，$V_{GS}=0Vdc$，$f = 1.0MHz$）：典型值为 156pF，最大值为 225pF。
• 反向传输电容 $C_{rss}$：典型值为 53pF，最大值为 75pF。

开关特性

不同条件下的开关时间参数，如开启延迟时间、上升时间、关断延迟时间和下降时间等，都有详细的规定，这些参数对于设计高速开关电路至关重要。

体漏二极管特性

• 二极管正向导通电压：在 $I{S}=1.7Adc$，$V{GS}=0V$ 时，典型值为 0.76V，最大值为 1.1V；在 $T_{J}=150^{circ}C$ 时，典型值为 0.56V。
• 反向恢复时间：$t{r}$ 典型值为 23ns，$t{a}$ 典型值为 16ns，$t_{o}$ 典型值为 7ns。
• 反向恢复存储电荷：典型值为 20nC。

应用领域

DC - DC 转换器

由于其低导通电阻和高速开关性能，NTMD6N04 和 NVMD6N04 非常适合用于 DC - DC 转换器中，能够提高转换效率，减少能量损耗。

计算机和打印机

在计算机和打印机的电源管理电路中，这两款 MOSFET 可以实现高效的功率转换和开关控制，确保设备的稳定运行。

手机和无绳电话

对于便携式电子设备，如手机和无绳电话，它们的低功耗和小型封装特性能够满足设备对电池续航和空间的要求。

磁盘驱动器和磁带驱动器

在磁盘驱动器和磁带驱动器的读写电路中，高速开关性能可以保证数据的快速传输和处理。

封装和订购信息

封装尺寸

SOIC - 8 封装的尺寸有详细的规定，包括长度、宽度、引脚间距等参数，在设计电路板时需要参考这些尺寸进行布局。

订购信息

器件型号	封装	包装方式
NTMD6N04R2G	SOIC - 8（无铅）	2500 / 卷带包装
NVMD6N04R2G	SOIC - 8（无铅）	2500 / 卷带包装

总之，NTMD6N04 和 NVMD6N04 MOSFET 以其出色的性能和特性，为电子工程师在低电压、高速开关应用中提供了一个可靠的选择。在实际设计中，我们需要根据具体的应用需求，合理选择和使用这些器件，以达到最佳的电路性能。你在使用 MOSFET 时，有没有遇到过一些特殊的挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。