Onsemi NTGS4111P和NVGS4111P MOSFET深度解析

在电子设计领域，MOSFET是不可或缺的基础元件。Onsemi推出的NTGS4111P和NVGS4111P这两款P沟道单功率MOSFET，凭借其出色的性能和特性，在众多应用场景中展现出独特的优势。下面，我们就来深入了解这两款MOSFET。

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特性亮点

低导通电阻

采用领先的 -30V沟槽工艺，有效降低了导通电阻 (R_{DS(on)})。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，能够提高系统的效率，减少发热，这对于对功耗敏感的应用来说至关重要。

适合便携式应用

其低外形封装设计，非常适合便携式设备。在如今追求轻薄便携的时代，这种封装能够节省电路板空间，满足便携式设备对空间的严格要求，同时也有助于提高设备的集成度。

表面贴装TSOP - 6封装

这种封装不仅节省了电路板空间，还提高了电池应用的效率。对于电池供电的设备，提高效率可以延长电池的续航时间，提升用户体验。

汽车级应用支持

NV前缀的产品适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。这表明该产品在可靠性和质量上达到了汽车级标准，能够满足汽车电子等对安全性和稳定性要求极高的应用场景。

环保设计

提供无铅封装选项，符合环保要求，响应了全球对环保电子产品的需求。

应用领域

电池管理与开关

在电池管理系统中，这两款MOSFET可以用于控制电池的充放电过程，实现高效的能量转换和管理。通过精确控制开关状态，能够保护电池免受过充、过放等损害，延长电池的使用寿命。

负载开关

作为负载开关，它们可以快速、可靠地控制负载的通断，实现对电路的灵活控制。在需要频繁切换负载的应用中，能够提供稳定的开关性能。

电池保护

在电池保护电路中，MOSFET可以在电池出现异常情况时迅速切断电路，保护电池和其他设备免受损坏，提高系统的安全性。

关键参数

最大额定值

额定值	符号	值	单位
漏源电压 (V_{DSS})	(V_{DSS})	-30	V
栅源电压 (V_{GS})	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（稳态，(T_{A}=25^{circ}C)）	(I_{D})	-3.7	A
连续漏极电流（稳态，(T_{A}=85^{circ}C)）	(I_{D})	-2.7	A
功率耗散（稳态，(T_{A}=25^{circ}C)）	(P_{D})	1.25	W
脉冲漏极电流（(t_{p}=10 mu s)）	(I_{DM})	15	A
工作结温和存储温度	(T{J})，(T{STG})	-55 至 150	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	-1.7	A
焊接用引脚温度（距外壳 1/8"，10 s）	(T_{L})	260	°C

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=-250 mu A) 时，最小值为 -30V。
• 零栅压漏极电流 (I{DSS})：在 (V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C)，(V{DS}=-24V) 时为 -1.0 (mu A)；在 (T_{J}=125^{circ}C) 时为 -100 (mu A)。
• 栅源泄漏电流 (I{GSS})：在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=pm20V) 时为 ±100 nA。

导通特性

• 栅阈值电压 (V{GS(TH)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=-250 mu A) 时，最小值为 -1.0V，最大值为 -3.0V。
• 负阈值温度系数 (V{GS(TH)}/T{J})：为 5.0 mV/°C。
• 漏源导通电阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS}=-10V)，(I{D}=-3.7A) 时，典型值为 38 mΩ，最大值为 60 mΩ；在 (V{GS}=-4.5V)，(I_{D}=-2.7A) 时，典型值为 68 mΩ，最大值为 110 mΩ。
• 正向跨导 (g{FS})：在 (V{DS}=-10V)，(I_{D}=-3.7A) 时，典型值为 6.0 S。

电容和电荷特性

• 输入电容 (C{ISS})：在 (V{GS}=0V)，(f = 1.0 MHz)，(V_{DS}=-15V) 时为 750 pF。
• 输出电容 (C_{OSS})：为 140 pF。
• 反向传输电容 (C_{RSS})：为 105 pF。
• 总栅电荷 (Q_{G(TOT)})：典型值为 15.25 nC，最大值为 32 nC。
• 阈值栅电荷 (Q{G(TH)})：在 (V{GS}=-10V)，(V{DD}=-15V)，(I{D}=-3.7A) 时为 0.8 nC。
• 栅源电荷 (Q_{GS})：为 2.6 nC。
• 栅漏电荷 (Q_{GD})：为 3.4 nC。

开关特性

在 (V_{GS}=-10V) 时：

• 导通延迟时间 (t_{d(ON)})：典型值为 9.0 ns，最大值为 17 ns。
• 上升时间 (t_{r})：典型值为 9.0 ns，最大值为 18 ns。
• 关断延迟时间 (t{d(OFF)})：在 (I{D}=-1.0A)，(R_{G}=6.0 Omega) 时，典型值为 38 ns，最大值为 85 ns。
• 下降时间 (t_{f})：典型值为 22 ns，最大值为 45 ns。

在 (V_{GS}=-4.5V) 时：

• 导通延迟时间 (t_{d(ON)})：典型值为 11 ns，最大值为 20 ns。
• 上升时间 (t_{r})：典型值为 15 ns，最大值为 28 ns。
• 关断延迟时间 (t{d(OFF)})：在 (I{D}=-1.0A)，(R_{G}=6.0 Omega) 时，典型值为 28 ns，最大值为 56 ns。
• 下降时间 (t_{f})：典型值为 22 ns，最大值为 50 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压 (V{DS})：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=-1.0A)，(T{J}=25^{circ}C) 时，典型值为 -0.76V，最大值为 -1.2V；在 (T_{J}=125^{circ}C) 时，典型值为 -0.60V。
• 反向恢复时间 (t_{rr})：典型值为 17 ns，最大值为 40 ns。
• 电荷时间 (t{a})：在 (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s)，(I{S}=-1.0A) 时为 9.0 ns。
• 放电时间 (t_{o})：为 8.0 ns。
• 反向恢复电荷 (Q_{rr})：为 8.0 nC。

封装与订购信息

封装尺寸

采用TSOP - 6封装，尺寸为 3.00x1.50x0.90，引脚间距 0.95P。详细的封装尺寸参数如下：	尺寸	最小值	标称值	最大值
A	0.90	1.00	1.10
A1	0.01	0.06	0.10
A2	0.80	0.90	1.00
k	0.25	0.38	0.50
C	0.10	0.18	0.26
D	2.90	3.00	3.10
E	2.50	2.75	3.00
E1	1.30	1.50	1.70
e	0.85	0.95	1.05
L	0.20	0.40	0.60
L2	0.25 BSC
M	0°		10°

订购信息

零件编号	标记（XX）	封装	包装
NTGS4111PT1G	TG	SC - 88（无铅）	3000 / 卷带包装
NVGS4111PT1G	VTG	SC - 88（无铅）	3000 / 卷带包装

需要注意的是，部分产品可能已停产，具体信息可参考数据手册第 5 页的表格。

总结

Onsemi的NTGS4111P和NVGS4111P MOSFET凭借其低导通电阻、适合便携式应用的封装、汽车级应用支持等特性，在电池管理、负载开关等领域具有广泛的应用前景。电子工程师在设计相关电路时，可以根据具体的应用需求，结合这些MOSFET的参数和特性，选择合适的产品，以实现高效、可靠的电路设计。同时，在使用过程中，要注意产品的最大额定值，避免超过极限参数导致器件损坏。你在实际应用中是否使用过类似的MOSFET呢？遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验。