onsemi HUF75852G3 MOSFET：特性、参数与应用解析

引言

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是一种极为常见且关键的电子元件。今天我们要深入探讨的是安森美（onsemi）的HUF75852G3 N沟道功率MOSFET，它具备诸多出色的特性，适用于多种应用场景。接下来，让我们详细了解这款MOSFET的各项特性、参数以及相关的仿真模型。

文件下载：HUF75852G3-D.pdf

产品特性

超低导通电阻

HUF75852G3的一大显著特性是超低导通电阻。当栅源电压(V{GS}=10V)时，其导通电阻(r{DS(ON)} = 0.016Omega)。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，能够有效提高电路的效率，减少发热，这对于功率电路的设计尤为重要。

丰富的仿真模型

该MOSFET提供了多种仿真模型，包括温度补偿的PSPICE™和SABER™电气模型，以及Spice和SABER热阻抗模型。这些模型可以帮助工程师在设计阶段对电路进行精确的仿真和分析，预测MOSFET在不同工作条件下的性能，从而优化电路设计。你可以在www.onsemi.com上获取这些仿真模型。

环保合规

HUF75852G3是无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准的产品，满足环保要求，这对于注重环保的电子产品设计来说是一个重要的考虑因素。

绝对最大额定值

在使用MOSFET时，了解其绝对最大额定值至关重要，因为超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。以下是HUF75852G3的主要绝对最大额定值：	描述	符号	额定值	单位
漏源电压（注1）	(V_{DSS})	150	V
漏栅电压（(R_{GS} = 20k)，注1）	(V_{DGR})	150	V
栅源电压	(V_{GS})	+20	V
脉冲漏极电流	(I_{DM})	-	A
连续漏极电流（(T{C} = 100°C)，(V{GS} = 10V)）	(I_{D})	75	A
连续漏极电流（(T{C} = 25°C)，(V{GS} = 10V)）	(I_{D})	75	A
脉冲雪崩额定值	UIS	见图6、14、15	-
功率耗散（25°C以上降额）	(P_{D})	500	W
功率耗散降额系数	-	3.33	(W/°C)
工作和储存温度	(T{J})，(T{STG})	-55 至 175	°C
焊接时封装体最大温度（10s）	(T_{pkg})	300	°C
焊接时引脚最大温度（距外壳0.063英寸（1.6mm）处，10s）	(T_{L})	260	°C

注1：(T_{J}=25^{circ}C)至150°C。

电气规格

关断状态规格

• 漏源击穿电压（(B{V{DSS}})）：当漏极电流(I{D}=250A)，栅源电压(V{GS}=0V)时，漏源击穿电压为150V。
• 零栅压漏极电流（(I{DSS})）：当(V{DS}=140V)，(V{GS}=0V)时，(I{DSS}=1A)；当(V{DS}=135V)，(V{GS}=0V)，(T{C}=150°C)时，(I{DSS}=250A)。
• 栅源泄漏电流（(I{GSS})）：当(V{GS}=pm20V)时，(I_{GSS}=pm100nA)。

导通状态规格

• 栅源阈值电压（(V_{GS(TH)})）：当漏极电流为(250mu A)时，可参考图10获取相关数据。

热规格

• 结到外壳热阻（(R{theta JC})）：TO - 247封装的(R{theta JC}=0.30°C/W)。
• 结到环境热阻（(R{theta JA})）：(R{theta JA}=30°C/W)。

开关规格

当(V{DD}=75V)，(I{D}cong75A)，(V_{GS}=10V)时，可参考图18、19获取开关时间相关数据。

栅极电荷规格

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
(Q_{g(TOT)})	总栅极电荷	(V{Gs}=0V) 至 20V，(V{pp}=75V)，(I_{p}=75A)	400	480	-	nC
(Q_{g(10)})	10V时的栅极电荷	(V{Gs}=0V) 至 10V，(I{g(REF)}=1.0mA)（见图13、16、17）	215	260	-	nC
(Q_{(TH)})	阈值栅极电荷	(V_{Gs}=0V) 至 2V	15	17.5	-	nC
(Q_{gs})	栅源栅极电荷	-	25	-	-	nC
(Q_{gd})	栅漏“米勒”电荷	-	66	-	-	nC

电容规格

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
(C_{ISS})	输入电容	(V{DS}=25V)，(V{GS}=0V)	-	7690	-	pF
(C_{OSS})	输出电容	(f = 1MHz)（见图12）	-	1650	-	pF
(C_{RSS})	反向传输电容	-	-	535	-	pF

源漏二极管规格

• 源漏二极管电压（(V_{SD})）：典型值为1.00V。
• 反向恢复时间：当(I{SD}=75A)，(dI{SD}/dt = 100A/mu s)时，可获取相关数据。

典型性能曲线

文档中提供了一系列典型性能曲线，包括归一化功率耗散与外壳温度曲线、最大连续漏极电流与外壳温度曲线、归一化最大瞬态热阻抗曲线、峰值电流能力曲线、正向偏置安全工作区曲线、非钳位电感开关能力曲线、传输特性曲线、饱和特性曲线、归一化漏源导通电阻与结温曲线、归一化栅极阈值电压与结温曲线、归一化漏源击穿电压与结温曲线、电容与漏源电压曲线、恒定栅极电流下的栅极电荷波形等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解MOSFET在不同工作条件下的性能表现。

仿真模型

PSPICE电气模型

文档中给出了详细的PSPICE电气模型代码，可用于电路仿真。通过该模型，工程师可以模拟MOSFET在不同电路中的工作情况，预测其性能和行为。

SABER电气模型

同样，也提供了SABER电气模型，它与PSPICE模型类似，可用于不同的仿真环境，为工程师提供更多的仿真选择。

热模型

包括SPICE热模型和SABER热模型，这些模型可以帮助工程师分析MOSFET在工作过程中的热特性，优化散热设计，确保器件在合适的温度范围内工作。

封装与订购信息

HUF75852G3采用JEDEC TO - 247 - 3LD封装，其封装尺寸有详细的标注。订购信息如下：	部件编号	封装	品牌
HUF75852G3	TO - 247 - 3LD	75852G

总结

onsemi的HUF75852G3 MOSFET以其超低导通电阻、丰富的仿真模型和环保合规等特性，为电子工程师提供了一个优秀的选择。在设计功率电路时，工程师可以根据其绝对最大额定值、电气规格和典型性能曲线等信息，合理选择和使用该MOSFET，同时结合仿真模型进行精确的电路设计和优化。你在使用这款MOSFET的过程中遇到过哪些问题呢？或者你对它的哪些特性最感兴趣？欢迎在评论区分享你的经验和想法。