FDS89141 双 N 沟道屏蔽栅 PowerTrench® MOSFET 深度解析

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描述

FDS89141 双 N 沟道屏蔽栅 PowerTrench® MOSFET 深度解析

在电子工程师的日常设计工作中,MOSFET 是经常会用到的关键器件。今天我们就来详细剖析一下 FDS89141 双 N 沟道屏蔽栅 PowerTrench® MOSFET,看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。

文件下载:FDS89141-D.pdf

一、产品背景与变更说明

Fairchild Semiconductor 已被 ON Semiconductor 整合。由于 ON Semiconductor 产品管理系统无法处理带有下划线(_)的零件命名,Fairchild 部分可订购的零件编号中的下划线将改为破折号(-)。大家可通过 ON Semiconductor 网站验证更新后的器件编号,最新的订购信息可在 www.onsemi.com 上查询。若对系统集成有疑问,可发邮件至 Fairchild_questions@onsemi.com。

二、FDS89141 特性

2.1 先进技术

采用了屏蔽栅 MOSFET 技术和高性能沟槽技术,极大地降低了导通电阻 (r{DS(on)})。在 (V{GS}=10V),(I{D}=3.5A) 时,最大 (r{DS(on)}=62mΩ);在 (V{GS}=6V),(I{D}=2.8A) 时,最大 (r_{DS(on)}=100mΩ)。这种低导通电阻的特性,能有效减少功率损耗,提高系统效率。

2.2 高功率与电流处理能力

该 MOSFET 能够在广泛使用的表面贴装封装中处理高功率和大电流,并且经过了 100% UIL 测试,确保了产品的可靠性。同时,它还符合 RoHS 标准,满足环保要求。

三、产品描述

FDS89141 是一款 N 沟道 MOSFET,采用了 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺,并结合了屏蔽栅技术。这种工艺在导通电阻、开关性能和坚固性方面都进行了优化,能为电路设计提供更稳定的性能。

四、应用领域

4.1 同步整流

在电源电路中,同步整流技术可以提高电源的效率。FDS89141 的低导通电阻和良好的开关性能,使其非常适合用于同步整流电路,能够有效降低整流损耗。

4.2 桥式拓扑的初级开关

在桥式拓扑电路中,初级开关需要具备快速的开关速度和高功率处理能力。FDS89141 能够满足这些要求,确保桥式电路的稳定运行。

五、参数解读

5.1 最大额定值

符号 参数 额定值 单位
(V_{DS}) 漏源电压 100 V
(V_{GS}) 栅源电压 ±20 V
(I_{D}) 连续漏极电流 3.5 A
(I_{D})(脉冲) 18 A
(E_{AS}) 单脉冲雪崩能量 37 mJ
(P_{D})((T_A = 25°C),注 1a) 功率耗散 31 W
(P_{D})((T_A = 25°C),注 1b) 1.6 W
(TJ),(T{STG}) 工作和存储结温范围 -55 至 +150 °C

5.2 热特性

符号 参数 数值 单位
(R_{θJC}) 结到壳的热阻 40 °C/W
(R_{θJA}) 结到环境的热阻(注 1a) 78 °C/W

5.3 电气特性

包括关断特性、导通特性、动态特性、开关特性和漏源二极管特性等。例如,在 (V{GS}=10V),(I{D}=3.5A) 时,静态漏源导通电阻 (r{DS(on)}) 为 47 - 62 mΩ;输入电容 (C{iss}) 在 (V{DS}=50V),(V{GS}=0V),(f = 1MHz) 时为 299 - 398 pF 等。这些参数对于电路设计和性能评估非常重要,工程师们需要根据具体的应用场景来选择合适的参数。

六、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线,如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解 FDS89141 在不同工作条件下的性能表现,从而优化电路设计。例如,通过观察归一化导通电阻与结温的关系曲线,我们可以预测在不同温度环境下 MOSFET 的导通电阻变化情况,进而评估电路的功率损耗。

七、注意事项

7.1 应用限制

ON Semiconductor 产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备或具有相同或类似分类的外国医疗设备,以及任何用于人体植入的设备。如果购买或使用这些产品用于未预期或未授权的应用,买家需承担相关责任。

7.2 参数验证

“典型”参数在不同应用中可能会有所变化,实际性能也可能随时间变化。因此,所有工作参数,包括“典型值”,都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。

7.3 技术支持与订购信息

如果大家在使用 FDS89141 过程中遇到问题或需要更多信息,可以通过以下方式获取支持:

  • 北美技术支持:800 - 282 - 9855(美国/加拿大免费)
  • 欧洲、中东和非洲技术支持:电话 421 33 790 2910
  • 日本客户服务中心:电话 81 - 3 - 5817 - 1050
  • ON Semiconductor 网站:www.onsemi.com
  • 订购文献:http://www.onsemi.com/orderlit

大家在实际设计中是否遇到过 MOSFET 选型和应用的难题呢?欢迎在评论区分享你的经验和问题。希望通过对 FDS89141 的介绍,能帮助大家在电子设计中更好地选择和使用这款 MOSFET。

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