深圳争妍微电子亮相成都双展，深化西南布局，共谋产业合作

         2026年4月16日至18日，第二届成都国防科技产业博览会在成都世纪城新国际会展中心隆重举行。作为同期核心展区之一，半导体与集成电路专题展汇聚了行业前沿力量。深圳争妍微电子有限公司（以下简称“争妍微电子”）携其全系列功率半导体产品矩阵，精彩亮相2号馆2-K02-1展位，以硬核实力闪耀西南。

        展会现场，争妍微电子展台人头攒动，专业观众络绎不绝。公司重点展示了覆盖功率半导体全领域的核心产品，包括二极管、三极管、MOSFET、可控硅、IGBT等成熟器件，以及代表未来技术方向的SiC JBS/MOSFET（碳化硅结势垒肖特基二极管/金属-氧化物半导体场效应晶体管）、氮化镓HEMT（高电子迁移率晶体管）和模拟IC等高端解决方案。这些产品以其高可靠性、高性能和高集成度，吸引了众多国防科技、工业控制、新能源等领域的专业观众驻足交流，现场洽谈合作意向热烈。

        “此次参展，我们不仅带来了成熟稳定的功率器件，更重点展示了面向未来高功率、高效率应用场景的宽禁带半导体技术。”争妍微电子总经理李学会在展会现场表示，“国防科技领域对电子元器件的可靠性、环境适应性和性能指标有着极致要求。争妍微电子深耕功率半导体领域多年，始终将技术创新和品质管控放在首位。我们的MOSFET、IGBT以及新兴的SiC JBS/MOSFET和氮化镓HEMT产品，正是为满足这些严苛需求而生，旨在为国防装备的轻量化、高效化和智能化提供坚实的‘中国芯’支撑。”

 

        李学会总经理进一步强调：“参与成都国防科技产业博览会，对我们而言意义非凡。这不仅是展示技术实力的窗口，更是融入国家国防科技产业生态、服务国家战略腹地建设的重要契机。我们期待通过与产业链上下游的深度合作，共同推动关键核心器件的自主可控，为构建安全可靠的国防科技产业链贡献力量。”

        此次成都之行，对争妍微电子而言，更是一次重要的市场战略拓展。展会间歇，公司总经理李学会与同期参展的知名驱动方案公司深圳兆威进行了深入沟通。双方就技术互补、市场协同等议题交换了意见，并决定在展会结束后进一步交流，以确定具体的合作方向，共同探索在高端驱动领域的创新解决方案。

        李学会总经理表示：“西南地区产业链完整，电子类企业众多，市场潜力巨大。这次参展是公司销售团队走出深圳、走向西南的重要一步。我们希望通过这样的行业盛会，不仅能够展示我们的二极管、三极管、MOSFET、可控硅、IGBT、SiC JBS/MOSFET、氮化镓HEMT和模拟IC等产品，更能深入了解西南市场的需求，与本地企业建立紧密的合作关系，共同推动区域半导体产业的发展。”