onsemi 2N7002W/2V7002W小信号N沟道MOSFET深度解析

在电子电路设计中，MOSFET作为关键的半导体器件，广泛应用于各类电路中。今天我们来深入了解一下安森美（onsemi）推出的2N7002W和2V7002W小信号N沟道MOSFET，看看它们的特性、参数以及适用场景。

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一、产品特性

1. ESD保护

这两款MOSFET具备ESD保护功能，能够有效抵御静电放电带来的损害，提高了器件的可靠性和稳定性，对于一些容易产生静电的应用场景尤为重要。

2. 低导通电阻（RDS(on)）

低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较小，能够提高电路的效率，减少发热，对于对功耗有严格要求的应用非常关键。

3. 小尺寸表面贴装封装

采用SC - 70封装，具有小尺寸的特点，节省了电路板空间，适合用于对空间要求较高的便携式设备等应用。

4. 汽车级应用及合规性

2V前缀的产品适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。同时，这些器件无铅、无卤素、无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。

二、应用场景

1. 低端负载开关

可用于控制负载的通断，实现对电路中负载的灵活控制。

2. 电平转换电路

在不同电平之间进行转换，确保信号在不同电路模块之间的正确传输。

3. DC - DC转换器

在直流 - 直流转换电路中发挥作用，实现电压的变换和调节。

4. 便携式应用

如数码相机（DSC）、个人数字助理（PDA）、手机等，其小尺寸和低功耗的特点非常适合便携式设备的需求。

三、最大额定值

额定参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	60	V
栅源电压	VGS	±20	V
稳态电流（TA = 25°C）	ID	310	mA
稳态电流（TA = 85°C）	ID	220	mA
短时间电流（t < 5s，TA = 25°C）	ID	340	mA
短时间电流（t < 5s，TA = 85°C）	ID	240	mA
功率耗散（稳态）	PD	280	mW
功率耗散（t < 5s）	PD	330	mW
最大漏极电流	IDM	1.4	A
工作结温和存储温度范围		-55 至 150	°C
源极电流（体二极管）	Is		mA
焊接用引脚温度（距外壳1/8"，10s）	TL	260	°C
栅源ESD额定值（HBM，方法3015）	ESD	2000	V

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

四、热特性

特性	符号	最大值	单位
（注1）	RUA	450	°C/W
结到环境热阻（t ≤ 5s，注1）	RUA	375	°C/W

这里的热阻参数对于评估器件在工作过程中的散热情况非常重要，工程师在设计时需要根据实际情况进行散热设计。

五、电气特性

1. 关断特性

• 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：VGS = 0 V，ID = 250 μA时，为60 V。
• 漏源击穿电压温度系数（V(BR)DSS/TJ）：71 mV/°C。
• 零栅压漏极电流（IDSS）：在不同温度和电压条件下有不同的值，如TJ = 25°C，VGS = 0 V，VDS = 60 V时为1.0 μA；TJ = 150°C，VGS = 0 V，VDS = 60 V时为15 μA等。
• 栅源泄漏电流（IGSS）：在不同的VGS和VDS条件下有不同的值。

2. 导通特性

• 栅阈值电压（VGS(TH)）：VGS = VDS，ID = 250 μA时，范围为1.0 - 2.5 V。
• 栅阈值电压温度系数（VGS(TH)/TJ）：4.0 mV/°C。
• 漏源导通电阻（RDS(on)）：VGS = 10 V，ID = 500 mA时，最大值为1.6 Ω；VGS = 4.5 V，ID = 200 mA时，最大值为2.5 Ω。
• 正向跨导（gFS）：VDS = 5 V，ID = 200 mA时，为530 mS。

3. 电荷和电容特性

• 输入电容（CISS）：VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = 20 V时，为24.5 pF。
• 输出电容（COSS）：4.2 pF。
• 反向传输电容（CRSS）：2.2 pF。
• 总栅电荷（QG(TOT)）：VGS = 4.5 V，VDS = 10 V，ID = 200 mA时，为0.7 nC。
• 阈值栅电荷（QG(TH)）：0.1 nC。
• 栅源电荷（QGS）：0.3 nC。
• 栅漏电荷（QGD）：0.1 nC。

4. 开关特性

• 导通延迟时间（td(ON)）：VGS = 10 V，VDD = 25 V，ID = 500 mA，RG = 25 Ω时，为12.2 ns。
• 上升时间（tr）：9.0 ns。
• 关断延迟时间（td(OFF)）：55.8 ns。
• 下降时间（tf）：29 ns。

5. 漏源二极管特性

• 正向二极管电压（VSD）：VGS = 0 V，IS = 200 mA时，TJ = 25°C为0.8 - 1.2 V；TJ = 85°C为0.7 V。

六、封装信息

采用SC - 70（SOT - 323）封装，具体的封装尺寸如下：	尺寸	毫米（最小值）	毫米（标称值）	毫米（最大值）	英寸（最小值）	英寸（标称值）	英寸（最大值）
A	0.80	0.90	1.00	0.032	0.035	0.040
A1	0.00	0.05	0.10	0.000	0.002	0.004
A2	0.70 REF			0.028 BSC
b	0.30	0.35	0.40	0.012	0.014	0.016
C	0.10	0.18	0.25	0.004	0.007	0.010
D	1.80	2.00	2.20		0.080	0.087
E	1.15	1.24	1.35	0.045	0.049	0.053
e	1.20	1.30	1.40	0.047	0.051	0.055
el	0.65 BSC			0.026 BSC
L	0.20	0.38	0.56	0.008	0.015	0.022
HE	2.00	2.10	2.40	0.079	0.083	0.095

七、订购信息

器件	封装	包装
2N7002WT1G	SC - 70（无铅）	3000/卷带包装
2V7002WT1G	SC - 70（无铅）	3000/卷带包装

在实际设计中，工程师们需要根据具体的应用需求，综合考虑这些特性和参数，合理选择和使用这两款MOSFET。大家在使用过程中有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。