3D X-DRAM概念验证完成，可依托成熟的三维闪存工艺制造

4 月 23 日NEO Semiconductor公司宣布其三维 X-DRAM™技术已成功完成概念验证测试，这一里程碑式进展，为面向人工智能与数据密集型系统的新一代高密度存储解决方案奠定了重要基础。与此同时，公司还公布了一项全新战略投资，本轮投资由宏碁创始人、前董事长兼首席执行官，拥有二十余年台积电董事任职经历的施振荣领衔。施振荣先生是全球知名的科技先驱与企业家，其参与此次投资，充分彰显了业界对NEO 半导体技术实力与发展愿景的高度认可，也将助力公司迈入全新发展阶段。

 

此次概念验证测试芯片实测结果表明，三维 X-DRAM 技术可依托现有三维闪存成熟产业体系进行量产，涵盖标准化生产设备、配套材料及低成本制造工艺。目前三维闪存量产芯片层数已突破 300 层，该技术成果不仅为新一代高密度三维动态随机存储器的研发落地铺平道路，还充分验证了产品优异的电气性能与运行稳定性。

 

概念验证核心成果如下：

 

读/写延迟：<10 纳秒

 

数据保持时间：85°C 下 >1 秒（比 64 毫秒 JEDEC 标准好 15 倍）

 

比特线干扰：在 85°C 下持续时间 >1 秒

 

字线干扰：在 85°C 时 >1 秒

 

耐力：>10¹⁴次循环

 

NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示：“本次测试成果，为动态随机存储器技术突破开辟了全新升级路径。我们坚信，该项技术能够适配人工智能时代的发展需求，大幅提升存储密度、降低制造成本并优化能耗表现。依托成熟的三维闪存制造体系与产业生态，我们将加速推进三维动态随机存储器技术落地。目前，NEO半导体正与全球头部存储及半导体企业积极洽谈，探索联合研发合作机会，我们的技术具备成熟的授权合作与规模化落地模式，有望快速推动新一代人工智能存储技术走向市场。”

 

本次概念验证项目由NEO 半导体联合台湾阳明交通大学产学创新学院共同研发，芯片制造与性能测试工作在台湾应用研究院半导体研究所完成。测试芯片顺利通过全维度电气性能与稳定性检测，充分验证了该创新存储架构的稳定性与可靠性。

 

目前，NEO 半导体正与存储、半导体全产业链企业开展深度合作洽谈，全力推动三维 X-DRAM 技术商业化落地。凭借成熟的概念验证成果与不断深化的行业合作，公司正式迈入全新发展阶段，致力于将三维 X-DRAM 打造为新一代人工智能存储系统的核心底层技术。