龙腾半导体推出600V/80A/37mΩ N沟道超结功率MOSFET

近日，龙腾推出600V，80A，37mΩ N 沟道超结功率 MOSFET。产品依托先进超结技术与创新扩铂工艺双重加持，以超低损耗、优异体二极管特性、工业级高可靠性、强场景适配性的核心优势，为大功率高效电源应用带来全新升级方案。

图：龙腾半导体产品

01工艺亮点

扩铂技术，全面提升动态性能：扩铂工艺通过精确控制少子寿命，优化器件内部开关特性，实测收益如下：

降低反向恢复电荷（Qrr）：典型值仅 722nC，减小二极管反向恢复损耗。

缩短反向恢复时间（trr）：典型 128.6ns，提升系统开关频率潜力。

平滑反向恢复电流峰值（Irm=9.05A）：改善EMI表现，减轻外围滤波设计压力。 

02核心电气性能

超低导通电阻：典型 RDS(on) 仅 31mΩ（最大37mΩ），导通损耗大幅降低。

极低栅极电荷：Qg 典型 116.8nC，支持快速开关，降低驱动损耗  

高电流能力：连续漏极电流 80A（Tc=25℃），脉冲电流 240A。

100% UIS 测试：单脉冲雪崩能量 951mJ，确保恶劣工况下的鲁棒性。

—龙腾: LSB60R037HP-IHN2703

—龙腾: LSB60R037HP-IHN2704

—竞品: A

来源: 龙腾实验室实测

03实测对比

经同工况下开关波形实测对比，龙腾半导体超结 MOSFET 开通速度更快，关断时电流拖尾更短、VDS 尖峰与振荡更小，米勒平台更平缓，开通/关断损耗显著低于行业主流竞品，可有效降低整机热耗，提升高频电源转换效率与运行可靠性。

—龙腾: LSB60R037HP-IHN2703

—龙腾: LSB60R037HP-IHN2704

—竞品: A

来源: 龙腾实验室实测

经同工况下二极管波形对比可见，龙腾半导体超结MOSFET 由于采用了先进扩铂工艺，在反向恢复过程中表现优异，反向恢复时间更短，反向恢复过程更软。这一特性有效降低了开关损耗与 EMI 干扰，提升了高频工况下的系统稳定性与散热表现。

04典型应用场景

化成电源  

OBC（车载充电机）  

通信电源

充电桩 

大功率工业电源 

矿机电源

05封装与订购信息

封装形式：TO-247，散热优异，适合大电流走线。  

产品型号：LSB60R037HP