一句话带崩存储市场！希捷拒绝建新厂；韩专家警告：明年下半年市场逆转？

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）没想到近半年持续暴涨的存储芯片股，被希捷CEO一句话带崩了。
 
在周二摩根大通的会议上，存储大厂希捷科技CEO Dave Mosley在回应关于扩产的问题时表示，建造新工厂花费太长时间，而且可能导致公司陷入产能过剩的困境。他强调公司的战略核心是通过技术转型来提升总的存储容量，而不是通过增加新的工厂。
 
随后美股希捷科技大跌6.87%，美光、西部数据、闪迪均跌5%左右；而周三早上SK海力士截至中午12点也跌近4%，三星则微跌不到1%。A股方面，江波龙、佰维、德明利等截至中午12点跌幅均超过5%。
 
不扩产的逻辑：存储需求太过集中了
 
实际上，在当前存储市场需求明显高于供应时，外界首先担心的并不是存储的产能过剩，而是担心公司扩产进度过慢而无法跟上需求。
 
那么为什么Mosley还坚决表示不大规模扩产？他解释称，希捷的核心业务是HDD机械硬盘，其中的关键零部件，比如记录磁头晶圆的备货生产周期已经需要超过9个月，HDD的生产组装阶段又需要再加3个月。
 
因为零部件生产耗时太久、周期拉得特别长，希捷现在干脆不再提前囤货量产，改成客户下单之后才安排生产的模式，Mosley表示这样会为公司提供未来4到5个季度的订单预期。“如果我们抽离团队，将资源投入到建造新工厂或是引进新机器，产能增加的周期将会非常长，同时技术升级的速度会随之放缓”
 
据介绍，希捷目前正在推进的技术转型包括将单碟片容量从3TB提升至4TB和5TB，通过单碟片的容量增加来实现25%左右的年复合增长率。同时在产能方面，希捷目前也正在现有厂房增设设备来提速。
 
当然，Mosley也表示当前市场需求显著高于供给，整个市场都在寻求更多存储容量，但他似乎认为当前的需求端过于集中了。“当AI应用从现有的数据中心拓展到更多领域，带动边缘AI等应用真正普及时，扩产才有真正的商业意义。”
 
确实，近两年的这一轮存储大周期，核心动力是AI服务器对于HBM和DDR5、高层数3D NAND等需求的指数级增长。而从全球存储大厂的扩产策略来看，基本围绕着高端的AI存储，包括HBM、DDR5和企业级的SSD，传统DDR4/LPDDR4等的产能加速淘汰。
 
但另一方面，数据中心的B端需求暴增，对消费端产品带来的冲击是巨大的。今年以来，智能手机厂商部分已经由于存储涨价而将新机价格调高，部分在售机型也受到存储涨价的冲击，涨幅从10%到20%不等。
 
明年下半年内存芯片开始降价？
 
同样在本周二，韩国工程学院论坛上，三星电子设备解决方案事业部前负责人、现常驻顾问Kyung Kye-hyun表示，中国企业正大举扩产，存储芯片市场供需格局或将在明年下半年至 2028 年上半年迎来逆转，届时全球存储芯片产能将大幅激增。
 
他援引多家全球市场调研机构数据指出，随着全球存储芯片产能急速扩张，明年下半年起存储芯片价格将步入下行通道。他还警示，若科技巨头资本开支回报率持续走低，行业或将缩减投资规模；2028 年之后，不仅芯片价格会下跌，整体存储芯片市场需求也可能出现萎缩。
 
实际上，三星和SK海力士同样在大举扩产，据电子发烧友网统计，2026年三星电子预期资本支出约400亿美元，半导体支出同比增加20%，目前在韩国平泽工厂持续扩建DRAM、NAND产能，计划到2027年DRAM总产能提升约20%—25%，投资重点是HBM和LPDDR5/LPDDR6；NAND则在平泽、华城工厂扩建，预计到2026年底出货量增加15%—20%。
 
SK海力士的2026年资本支出预期同比增幅超40%，计划在中国无锡工厂投产1α、1β工艺的新产线；韩国M14/M15工厂产能优化，主要针对HPC和AI DRAM市场；M15工厂NAND产线扩张中，重点发展企业级SSD NAND。
 
美光同样将2026财年的资本支出大幅上调至250亿美元以上，几乎是2025财年的两倍，其中大部分预算用于支持HBM、先进制程升级以及全球各地的洁净室扩建。美光此前收购了力积电位于中国台湾的铜锣P5厂，并正在改造用于生产先进制程DRAM和HBM，预计2028财年开始产出；同时计划在2026财年底前开工建设铜锣二厂，目标实现该基地产能翻倍。
 
在美国本土，美光则在《芯片法案》的“百亿补贴”支持下，在爱达荷州和纽约州加速建设大型工厂。爱达荷州邻近研发总部的两座大容量DRAM晶圆厂正在建设中，其中第一座工厂预计最快在2027年中期开始首批DRAM晶圆试产；纽约州Clay工厂则在今年1月破土动工，总投资高达1000亿美元，规划容纳4座Fab，建成后将会是美国史上最大的单体存储芯片工厂，预计首座工厂在2028年下半年到2030年之间正式启用。
 
国内方面，长江存储目前正在聚焦Fab3工厂的建设，预计2026年底启动量产，2027年实现月产5万片3D NAND晶圆的目标。同时正在筹备两座全新工厂，未来三座新厂全部达产后，月产能可增加30万片。
 
值得一提的是，长江存储目前正在从NAND跨界扩展到DRAM，在Fab3中将分配部分产能用于DRAM内存，其LPDDR内存颗粒已正式向客户送样。
 
长鑫科技近期披露的财报数据非常亮眼，其中高端DDR5/LPDDR5已经成为盈利支柱。目前长鑫在合肥、上海、北京具有产能，目前合肥总部正在投资三期项目，总投资约 1500 亿元，设计新增产能 30 万片晶圆每月，预计‌2027 年正式投产；上海工厂在今年3月开始推进，预计2027年实现量产，规划月产能高达40万到60万片，主要生产DDR5、LPDDR5X、HBM等。
 
可以说，目前在全球存储芯片供不应求的现状下，几乎所有存储厂商都给出了激进的产能扩张计划。而目前来看，2026年底到2027年是新产能落地的一个重要节点，对于2027年下半年开始存储芯片价格下降的预测与当前产能规划节点是吻合的。
小结：
 
存储芯片市场一直以来都呈现显著的周期特性，产业螺旋上升的态势从未改变。从希捷CEO的观点来看，扩产时需兼顾技术迭代和市场消化能力，否则容易在价格下行期承压，这也是过去存储周期历史带来的经验。但越来越多的需求正在转化为存储厂商的财报，“或许这一次真的不一样”？