高效低阻，新洁能NCE0102A 100V N沟道MOSFET助力电源设计

南山电子代理的NCE0102A是无锡新洁能推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽工艺与优化设计，在小封装内实现低导通电阻、低栅极电荷与可靠散热，适合各类中小功率开关与高频电路，是电源与控制板的常用选型。

 

核心亮点与关键参数：

• 漏源电压（VDS）：100V
• 栅源电压（VGS）：±20V
• 连续漏极电流（ID）：2A（TA=25°C）
• 导通电阻（RDS(ON)）：<240mΩ @ VGS=10V（典型值220mΩ）
• 导通阈值电压（VGS(th)）：2.0V – 3.5V
• 总栅极电荷（Qg）：典型值13.6nC @ VGS=10V

典型用途：

• 各类电源切换与功率控制应用；
• 硬开关及高频开关电路；
• 不间断电源（UPS）与逆变器辅助电路；
• 电池管理系统、LED驱动及其他小功率DC-DC变换场景。

 

采购信息：

• 封装形式：SOT-23贴片封装；
• 包装方式：Ø180mm卷轴编带，带宽8mm；
• 最小包装量：3000颗/盘；

 

NCE0102A以小封装、高效率、高可靠的特性，平衡了性能与成本，是100V/2A等级中小功率MOSFET的实用选择，广泛适配消费电子、工业控制、照明驱动等领域的标准化设计。如需获取NCE0102A的最新规格书、选型手册或实时报价，欢迎访问南山半导体官方网站，联系在线客服进行咨询。