新洁能12-150V 30-100V P沟道MOSFET系列产品的技术特点与应用领域

新洁能（NCE）是一家国内领先的功率半导体企业，专注于MOSFET和IGBT等产品的研发和生产。公司产品线非常丰富，涵盖了从低电压到高电压的各类MOSFET产品，包括N沟道、P沟道以及N+P沟道MOSFET。以下是新洁能授权代理商/经销商-南山电子整理的新洁能12-150V 30-100V P沟道MOSFET系列产品介绍, 并为该系列型号快速提供小批量样品和最新价格报价，欢迎通过南山电子官网在线咨询或致电400-888-5058。

 

12-150V P-Channel Trench MOSFET:

 

技术特点：采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等并持续推进产品迭代，以丰富的产品系列、业内先进的参数性能与优异的可靠性成为行业标杆。

 

应用领域：广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。

封装形式：包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等多种封装形式。

 

12-150V P-Channel Trench MOSFET热销型号推荐
NCE2305A	NCE30P15AS	NCE60P09S	NCE1216
NCE2333Y	NCE30P16Q	NCE60P09AS	NCE30P15S
NCE12P09S	NCE30P20Q	NCE60P10K	NCE60P17AQ
NCE2301C	NCE30P25Q	NCE60P12AS	NCE3401BY
NCE2301A	NCE30P25S	NCE60P12K	NCE3401E

30-100V P-Channel SGT-I MOSFET:

 

技术特点：P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率MOSFET成为高端开关的理想选择。P沟道功率MOSFET产品的选用可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，为设计人员提供了一种新的选择。此外，P沟道功率MOSFET产品利用空穴作为载流子进行导电，其迁移率低于N沟道功率MOSFET中的载流子电子，同等情况下，P沟道功率MOSFET产品导电性能弱于N沟道功率MOSFET产品。新洁能基于SGT-I技术的-30~-100V P沟道功率产品提供超低的导通电阻（RDS(on)），为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下，进一步提高系统效率与性能。

 

应用领域：广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等领域。

封装形式：包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式。
 

30-100V P-Channel SGT-I MOSFET热销型号推荐
NCEP30P90G	NCEP50P80A	NCEP40P65GU	NCEP40PT13D
NCEP30PT16G	NCEP50P80AK	NCEP40P65QU	NCEP40PT13GU
NCEP30P90K	NCEP01P35AK	NCEP01P35AG	NCEP15P30A
NCEP40P80D	NCEP01P35A	NCEP40P30K	NCEP40PT30VD
NCEP40PT15D	NCEP01P40AGU	NCEP40P30Q	NCEP15P30AK