飞虹半导体推出N沟道增强型MOS管FHP150N045V

飞虹半导体推出一款N沟道增强型MOS管——FHP150N045V。该器件基于特色沟槽工艺制造，结合高密度元胞设计，在导通损耗、开关特性及可靠性之间实现了良好平衡。其TO-220封装与45V漏源耐压使其特别适用于车载高频逆变器、同步整流及电机驱动等应用。

关键性能与可靠性

极低导通电阻：典型值 2.35mΩ（@Vgs=10V, Id=40A），最大值3.0mΩ，显著降低导通损耗。

优化的开关特性：栅极总电荷 Qg=142nC（典型），反向传输电容 Crss=515pF，配合 101ns 的上升时间与 104ns 的下降时间，支持高频工作。

充足的电压裕量：BVdss最小值 45V（典型55V），高于常规40V器件，适应蓄电池宽电压波动。

完整的可靠性测试：100% 经过 雪崩测试（EAS）、栅电阻（Rg）测试 及 DVDS热阻测试，保证产品一致性与长期稳定性。

环保合规：符合RoHS、REACH及无卤要求。

FHP150N045V应用场景

适合高频逆变器应用：12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路。

适合大功率高频开关电源上的同步整流。

适合电机驱动与控制。

典型特性曲线

 

 

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如果您正在寻找HYG020N04、CS150N04、IRFB7446pbF的代换型号，可以多了解一下FHP150N045V型号MOS管，它凭借优异的导通特性、开关速度与电压裕量，成为国产代换型号的可靠选择。在参数与性能上高度兼容，供货更稳定，性价比更优。

飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。