英飞凌扩展CoolSiC™ JFET产品组合

近日，英飞凌科技股份公司宣布持续扩展其CoolSiC™ JFET产品组合，新增多款器件、封装选项和配置，并在刚闭幕的PCIM Europe 2026上展出了常关型（normally-off）CoolSiC™ JFET器件，以满足AI数据中心供配电、固态断路器（SSCB）、电池开关等高增长场景的需求。

Q-DPAK封装器件已量产。 去年推出的首批750V和1200V CoolSiC™ JFET现已正式量产。其中750V型号导通电阻低至1.6mΩ，1200V型号低至2.3mΩ，均为同电压等级SiC器件中的最低水平，专为顶部散热和高密度并联设计。

TO-247-4封装新品落地。 新推出的1200V CoolSiC JFET采用业界通用的TO-247-4通孔封装，导通电阻最低5.0mΩ，工程师无需重新设计PCB即可直接替换现有SiC MOSFET方案，大幅降低迁移成本。

常关型配置首次亮相。 英飞凌将CoolSiC JFET与自家OptiMOS™低压Si MOSFET集成于单封装中，推出两种常关型配置：

配置	特点	封装	电压
双路驱动（Dual Drive）	SiC JFET与Si MOSFET栅极独立可控，支持VGS=2V过驱运行，RDS(on)再降约10%	750V提供TOLL/Q-DPAK，1200V为Q-DPAK	750V/1200V
共源共栅（Cascode）	SiC JFET栅极内集成，仅对外引出MOSFET栅极，即插即用，无需专用驱动电路	TOLL	750V

在AI数据中心供配电架构中，功率器件长期处于导通状态，故障概率低但后果严重。电源单元（PSU）、备电单元（PBU）、中间总线转换器（IBC）热插拔及eFuse设计，都要求器件在常态下零损耗、故障时微秒级切断。

CoolSiC JFET的常关型配置正好匹配这一逻辑：正常时关断无功耗，异常时快速导通保护——比传统常开型JFET更适合"故障隔离"场景。基于该方案的固态保护开关速度比机电系统快数个数量级，能最大程度减少宕机时间，保护数据中心高价值的GPU与存储资产。

所有CoolSiC JFET器件均采用英飞凌.XT互连技术与扩散焊接工艺，显著降低瞬态热阻抗，提升脉冲与循环负载下的耐久性。器件已在实际工况下完成过载和故障验证，即使在极端条件下仍可可靠运行。