新洁能NCE40H12K：40V/120A超低导通电阻沟槽功率MOSFET

南山电子代理的NCE40H12K是新洁能（NCE）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供了极佳的RDS(ON)表现，能够广泛应用于多种功率转换与开关场景。40V的耐压与120A的大电流能力，结合超低导通电阻，使其在高效电能管理中表现出色。

 

核心参数一览：

• 漏源电压：40V

• 栅源电压（VGS）：±20V

• 连续漏极电流：120A (TC=25℃) / 85A (TC=100℃)

• 脉冲漏极电流（IDM）：330A

• 导通电阻（RDS(ON)）：<3.95mΩ @ VGS=10V；<7mΩ @ VGS=4.5V

• 最大功耗（PD）：120W

• 单脉冲雪崩能量（EAS）：1080mJ

• 总栅极电荷：75nC (Typ)

• 结温范围（TJ, TSTG）：-55℃ 至 175℃

• 封装形式：TO-252-2L 

产品特性：

• 高密度单元设计，实现超低导通电阻

• 完全表征的雪崩电压和电流，可靠性高

• 高EAS下的良好稳定性和均匀性

• 优异的封装设计，散热性能良好

• 特殊工艺技术，具备高ESD防护能力

• 100% 经过 UIS（非钳位电感开关）测试

• 100% 经过 ΔVds 测试

 

应用领域：

• 负载开关

• 硬开关和高频电路

• 不间断电源（UPS）

 

关于新洁能（NCE）

无锡新洁能股份有限公司是国内领先的功率半导体设计企业，专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片及功率器件的研发设计与销售。公司在国内率先构建了沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET、超结MOSFET及IGBT四大产品工艺平台，产品电压覆盖12V~1700V全系列，型号近4000款，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、AI服务器、工业自动化、消费电子等领域。

 

南山电子是新洁能原厂授权代理商，代理新洁能MOS管、IGBT等全系列功率器件，仓库现货充足，最新价格请在订货时与南山电子销售工程师确认，欢迎通过南山电子官网在线咨询或致电垂询。