英飞凌正式推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET

近期，英飞凌正式推出 OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET ，针对电机控制和电池保护等以导通电阻为核心指标的应用进行了专属优化。这是OptiMOS系列从第5代到第8代的又一次关键跃升，目标直指绿色出行、机器人和AI数据中心三大趋势下对功率系统负载处理能力的严苛要求。

相比上一代OptiMOS™ 5，核心提升集中在三个维度。

导通电阻大幅下降，RDS(on)降幅最高达44%，这意味着在相同电流下功率损耗显著降低。电机驱动逆变器应用中，峰值电流输出能力最高提升18%，树立了新的行业标杆。在电池管理系统（BMS）的电池保护等静态开关场景中，更低的RDS(on)直接转化为更高的功率密度、更少的元器件用量以及更优的热性能。

均流能力是电池保护场景的隐藏关键。 OptiMOS™ 8 100V具备小于0.8V的严格ΔVGS(th)规格，同时搭配低跨导（gfs）特性，多颗并联时可实现最佳均流效果，避免单颗过热失效，系统可靠性明显提升。

封装方案覆盖广泛应用需求。 系列提供带铜夹的TOLL封装以及成熟的SuperSO8 5×6封装，两类方案均实现了出色的热性能。TOLL封装适合大电流功率路径，SuperSO8则兼顾小尺寸与高性价比，方便工程师根据板级空间和散热条件灵活选型。

AI数据中心是这款产品瞄准的新战场。 随着AI算力集群功率规模持续攀升，电池备份单元（BBU）对功率密度的要求也在快速提高。OptiMOS™ 8 100V可满足大功率BBU系统的最高功率密度要求，这一布局精准卡位了当前基础设施演进的关键节点。

英飞凌同步推出了参考设计，将OptiMOS™ 8 100V与XENSIV™ TMR电流传感器、PSOC™ Control C3微控制器相结合，面向电池供电低空物流应用实现磁场定向控制（FOC），是一款面向电子调速器（ESC）的开箱即用方案，帮助客户快速验证产品在实际工况中的性能表现。