贸泽电子与EPC签订全球代理协议

技术日新月异，我们每天都走在创新的路上，获取前沿的领域知识，并转化为自己的成果，创造出更适合用户的产品。在这一路上，贸泽电子始终会伴你左右，并随时提供新的采购情报，希望借此能为你带来更多创新和灵感。以下是本周新品情报，请及时查收：

增强型GaN解决方案

贸泽电子与Efficient Power Conversion (EPC) 签订全球代理协议。EPC是增强型氮化镓（eGaN）功率解决方案领域的全球知名企业，可提供15V至350V电压范围的GaN器件。对于DC-DC转换器、激光雷达等远程传感技术、电动汽车电机控制、机器人、无人机等应用，EPC的eGaN FET和集成电路性能远超优秀的硅功率MOSFET。

该协议旨在让全球工程师更便捷地获取GaN技术，并加速高效功率解决方案的普及。

EPC销售与市场部高级副总裁Nick Cataldo表示：“与贸泽签订这一全球协议是我们代理策略一部分，旨在吸引更多工程师采用GaN进行设计，因为与传统硅材料相比，氮化镓具备更多优势。贸泽业务遍布全球，我们很高兴能与这样一家充满活力的公司携手合作。”

贸泽亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示：“EPC的高性能功率解决方案产品组合不仅与我们的产品线形成强大的互补，还与我们客户的需求高度契合。我们期待与其建立长期且成功的合作关系，并将这些创新技术带给全球工程师社群。”

EPC2302是一款最大RDS(on)为1.8mΩ、耐压100V的eGaN功率晶体管，采用低电感3 x 5 mm QFN封装，顶部裸露设计，可实现出色的热管理。该产品专为40V至60V的高频DC-DC应用以及48V BLDC电机驱动而设计。裸露的顶部有助于增强顶部散热性能，而可润湿侧面可确保在回流焊过程中焊料充分覆盖整个侧壁焊盘表面，从而保护铜层，并方便在外部侧边进行焊接，便于光学检测。eGaN FET具有超低电容和零反向恢复特性，可在多种拓扑结构中高效工作。得益于其小巧、低电感的结构，性能得到了进一步提升。

EPC2304 eGaN功率晶体管专为需要超高开关频率和低导通时间的应用而设计，同时也适用于导通损耗占主导地位的应用场景。该器件非常适合用于电机驱动、D类音频、无线充电以及功率因数校正（PFC）转换器。EPC2304采用3 x 5mm的热增强型QFN封装，顶部裸露，具备超低热阻，工作温度更低。该封装还具有可润湿侧面，有助于简化组装和检测。

EPC23102 ePower功率级IC采用EPC专有的GaN IC技术，将输入逻辑接口、高侧电平转换、同步自举充电和栅极驱动器，以及eGaN输出FET集成于MSL1 QFN封装的单片集成电路中。该器件可将逻辑电平控制信号高效转换为高电压、高电流功率级，因此设计更简单、尺寸更小、更易于制造，且运行效率更高。该器件非常适合用于电机驱动逆变器、D类音频放大器、半桥和全桥LLC转换器等应用。

EPC2305是一款150V eGaN功率晶体管，其开关损耗和栅极驱动损耗均低于同类最佳的硅MOSFET。凭借更高的效率、更小的尺寸和更高的开关频率，实现了更高的功率密度，因此可缩小电感器尺寸并减少电容器数量。EPC2305的典型应用领域包括手机、笔记本电脑、游戏电脑、电动工具、家用机器人、电动汽车和太阳能设备。