森国科发布全新800V SiC MOSFET产品KWM3K065P

颠覆性尺寸：定义800V SiC MOSFET合封新标准       

在追求极致功率密度的今天，每一平方毫米的芯片面积都至关重要。森国科（SGKS）凭借其在宽禁带半导体领域的深厚积累，正式推出专为先进合封（Co-Packaging）应用设计的SiC MOSFET—KWM3K065P。这款产品以“全球最小裸芯片尺寸”和“800V/3Ω”的卓越性能组合，为AC-DC电源、栅极驱动芯片的多芯片模块（SiP）合封提供了革命性的核心器件，引领高压功率集成迈向新高度。

全球最小裸芯，源自8寸工艺的领先优势       

KWM3K065P的发布，不仅是尺寸上的突破，更是制造工艺的胜利。它由领先的8寸晶圆工艺打造，实现了性能与集成度的完美平衡。

• 极致紧凑的裸芯尺寸：KWM3K065P的裸芯尺寸（Die Size）仅为 0.476mm x 0.476mm，创下全球800V电压平台SiC MOSFET的最小纪录。这一突破极大地节省了封装内部的宝贵空间，使得在同一封装内集成AC-DC控制器、栅极驱动芯片以及多个功率器件成为可能，为开发超高功率密度的电源系统提供了坚实基础。

• 8寸工艺带来的性能一致性：采用8寸晶圆工艺，不仅提升了晶圆的整体良率和生产效率，更重要的是确保了芯片性能的高度一致性和稳定性。这对于多芯片合封应用至关重要，因为它能有效降低因芯片参数差异导致的电流不均问题，简化了并联设计，提高了整个模块的可靠性。

创新0伏关断，简化驱动设计       

在高压功率应用中，如何确保MOSFET在关断期间的稳定性，避免因噪声干扰导致的误导通，一直是工程师面临的难题。森国科KWM3K065P创新性地提供了 0伏关断（0V Turn-off） 解决方案。

• 攻克负压关断难题：传统SiC MOSFET器件或部分高压硅基器件通常需要负电压来确保可靠关断，这要求驱动芯片必须具备负压供电能力，增加了系统设计的复杂性和成本。KWM3K065P凭借其优异的芯片设计，实现了仅需0伏即可安全、可靠地关断。

• 降低驱动门槛：这一特性有效解决了工程师在应用中的痛点，大幅降低了对驱动芯片的要求。设计人员可以选用更通用、更简单的驱动芯片，从而简化外围电路设计，减少系统元件数量，提高整体方案的性价比和可靠性。

卓越性能，源于SiC本色       

作为一款碳化硅功率器件，KWM3K065P继承了SiC材料的本征优势，相比传统硅基高压器件，性能表现全面领先。

• 高耐压与低导通损耗的完美平衡：KWM3K065P拥有800V的高阻断电压和低至3Ω的标称导通电阻（RDS(on)）。这一组合确保了器件在高压工况下既能安全运行，又能保持极低的导通损耗，显著提升系统效率。

• 优异的开关特性：器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，其内部集成的体二极管也具有低反向恢复电荷（Qrr）的特点。这些特性共同作用，大幅降低了开关过程中的能量损耗和电压振荡，使得系统可以工作在更高的频率下，进一步推动功率密度的提升。

广泛应用，驱动未来科技       

凭借其创新的0伏关断特性和为合封而优化的极致尺寸，KWM3K065P特别适用于对体积、效率和集成度有极致要求的应用领域。

• 高密度快充与适配器：在需要合封高压功率开关器件的快充充电头和电源适配器的ACDC芯片中，KWM3K065P是实现“小体积、大功率”的理想选择，能够帮助工程师设计出性能更强、携带更方便的消费电子产品。

• 高集成度电源模块：对于需要将控制器、驱动器和功率器件集成在一起的工业电源模块，KWM3K065P的合封友好特性可以极大地简化设计，提高模块的可靠性。

• LED驱动与电机驱动：在对能效和空间有严格要求的LED照明驱动和微型电机驱动领域，这款芯片同样能发挥其高效、紧凑的优势，助力设备实现更长的寿命和更小的体积。

结语   

森国科KWM3K065P的推出，不仅是公司在高压SiC芯片领域技术实力的又一次展现，更是对“芯片级系统集成”这一未来趋势的精准把握。从领先的8寸晶圆工艺到全球最小的裸芯尺寸，再到创新的0伏关断技术，每一个细节都体现了森国科以客户需求为中心的创新理念。我们致力于通过不断创新的SiC技术和产品，为全球工程师提供更具价值的解决方案，共同推动电力电子系统向更高效、更紧凑、更智能的方向发展。KWM3K065P现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，携手共创功率电子的崭新篇章。

关于森国科

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区，在深圳、成都设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。

森国科碳化硅产品线为650V、1200V 和碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET 模块，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆，具有高耐温，高频，高效，高压特性，已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。

森国科功率IC采用先进的高压特色工艺，包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展，该产品线的团队在BCD工艺，UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片，已经大规模量产中低压系列，即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面，成功推出了单相BLDC散热风扇电机系列和三相BLDC电机驱动系列。

森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下，以低成本创新为己任，努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，成为全球领先的功率半导体公司！