新品 | 采用 IHV B 封装的4500 V/ 1200 A IGBT模块:FZ1200R45HL4_B8

描述

 

新品

采用 IHV B 封装的4500 V/ 1200 A 

IGBT模块:FZ1200R45HL4_B8

封装


 

IHV 4500 V、1200 A、130 mm单开关IGBT模块,采用IGBT4沟槽场截止技术,是高压直流输电(HVDC)、静止同步补偿器(Statcom)及工业应用的理想选择。


 

产品型号:

■ FZ1200R45HL4_B8

 


 

产品框图

封装


 

产品特性


 

低饱和压降VCE(sat)

AlSiC基板

存储温度低至 -40°C

封装材料 CTI> 600


 

应用价值


 

实现紧凑型逆变器设计

低功率损耗

标准化外壳结构

长使用寿命


 

竞争优势


 

高性能

低损耗

高可靠性


 

应用领域


 

高压直流输电(HVDC)

静止同步补偿器(Statcom)

驱动系统

 

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