探索onsemi FCB070N65S3 SUPERFET III MOSFET:高效电源转换新选择

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描述

探索onsemi FCB070N65S3 SUPERFET III MOSFET:高效电源转换新选择

引言

在电子工程师的日常工作中,MOSFET作为重要的功率器件,在各类电源转换电路中发挥着关键作用。今天,我们将深入探讨onsemi公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET——FCB070N65S3,它属于SUPERFET III系列,具备诸多卓越特性,适用于多种AC/DC电源转换应用。

文件下载:FCB070N65S3-D.PDF

产品概述

SUPERFET III MOSFET是onsemi全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用了电荷平衡技术,实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种AC/DC电源转换,有助于实现系统小型化和更高的效率。

关键特性

电气性能

  • 耐压与导通电阻:该MOSFET的漏源极电压(VDSS)为650V,在10V栅源电压下,导通电阻(RDS(on))典型值为62mΩ,最大值为70mΩ。这种低导通电阻特性有助于降低功率损耗,提高电源转换效率。
  • 栅极电荷与输出电容:具有超低的栅极电荷,典型值Qg = 78nC,以及低有效输出电容,典型值Coss(eff.) = 715pF。这使得MOSFET在开关过程中能够快速响应,减少开关损耗。
  • 雪崩测试:经过100%雪崩测试,保证了器件在承受瞬间高能量冲击时的可靠性。

温度特性

  • 工作温度范围:其工作和存储温度范围为 -55°C至 +150°C,能够适应较为恶劣的工作环境。
  • 温度系数:击穿电压具有正温度系数,这有助于在多个MOSFET并联使用时实现电流的自动均流,提高系统的稳定性。

环保特性

该器件为无铅产品,符合RoHS标准,满足环保要求。

应用领域

  • 电信/服务器电源:在电信设备和服务器的电源系统中,FCB070N65S3的低损耗和高开关性能能够提高电源的效率和可靠性,满足设备对稳定电源的需求。
  • 工业电源:工业环境对电源的稳定性和可靠性要求较高,这款MOSFET能够承受工业应用中的高电压和大电流冲击,为工业设备提供稳定的电源供应。
  • UPS/太阳能:在不间断电源(UPS)和太阳能电源系统中,FCB070N65S3的高效性能有助于提高能源转换效率,减少能量损失,延长电池使用寿命。

绝对最大额定值

参数 符号 单位
漏源极电压 VDSS 650 V
栅源极电压(DC) VGSS ±30 V
栅源极电压(AC,f > 1Hz) VGSS ±30 V
连续漏极电流(TC = 25°C) ID 44 A
连续漏极电流(TC = 100°C) ID 28 A
脉冲漏极电流 IDM 110 A
单脉冲雪崩能量 EAS 214 mJ
雪崩电流 IAS 4.8 A
重复雪崩能量 EAR 3.12 mJ
MOSFET dv/dt dv/dt 100 V/ns
峰值二极管恢复dv/dt dv/dt 20 V/ns
功率耗散(TC = 25°C) PD 312 W
25°C以上降额系数 2.5 W/°C
工作和存储温度范围 TJ,TSTG -55至 +150 °C
焊接时最大引脚温度(距外壳1/8″,5s) TL 300 °C

需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能正常,可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

该MOSFET的结到环境的最大热阻(RθJC)为40°C/W(器件安装在1in²、2oz铜箔的FR - 4材料1.5 x 1.5in.电路板上)。热阻是衡量器件散热能力的重要指标,较低的热阻有助于器件在工作过程中更好地散热,保证其性能稳定。

典型性能曲线

文档中提供了一系列典型性能曲线,包括导通区域特性、转移特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线直观地展示了MOSFET在不同工作条件下的性能表现,对于工程师进行电路设计和性能评估具有重要参考价值。

封装与订购信息

FCB070N65S3采用D2 - PAK封装,封装尺寸和推荐安装 footprint在文档中均有详细说明。其顶部标记为FCB070N65S3,采用330mm卷盘,24mm胶带宽度,每卷800个。对于具体的卷带规格信息,可参考BRD8011/D手册。

总结

onsemi的FCB070N65S3 SUPERFET III MOSFET凭借其卓越的电气性能、良好的温度特性和环保特性,在AC/DC电源转换领域具有广阔的应用前景。作为电子工程师,在设计电源电路时,可以充分考虑这款MOSFET的优势,以实现系统的高效、稳定运行。你在实际应用中是否使用过类似的MOSFET呢?遇到过哪些问题又有哪些解决方案呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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