电子说
在电子工程师的日常工作中,MOSFET作为重要的功率器件,在各类电源转换电路中发挥着关键作用。今天,我们将深入探讨onsemi公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET——FCB070N65S3,它属于SUPERFET III系列,具备诸多卓越特性,适用于多种AC/DC电源转换应用。
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SUPERFET III MOSFET是onsemi全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用了电荷平衡技术,实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种AC/DC电源转换,有助于实现系统小型化和更高的效率。
该器件为无铅产品,符合RoHS标准,满足环保要求。
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极电压 | VDSS | 650 | V |
| 栅源极电压(DC) | VGSS | ±30 | V |
| 栅源极电压(AC,f > 1Hz) | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流(TC = 25°C) | ID | 44 | A |
| 连续漏极电流(TC = 100°C) | ID | 28 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 110 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 214 | mJ |
| 雪崩电流 | IAS | 4.8 | A |
| 重复雪崩能量 | EAR | 3.12 | mJ |
| MOSFET dv/dt | dv/dt | 100 | V/ns |
| 峰值二极管恢复dv/dt | dv/dt | 20 | V/ns |
| 功率耗散(TC = 25°C) | PD | 312 | W |
| 25°C以上降额系数 | 2.5 | W/°C | |
| 工作和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55至 +150 | °C |
| 焊接时最大引脚温度(距外壳1/8″,5s) | TL | 300 | °C |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能正常,可能会发生损坏并影响可靠性。
该MOSFET的结到环境的最大热阻(RθJC)为40°C/W(器件安装在1in²、2oz铜箔的FR - 4材料1.5 x 1.5in.电路板上)。热阻是衡量器件散热能力的重要指标,较低的热阻有助于器件在工作过程中更好地散热,保证其性能稳定。
文档中提供了一系列典型性能曲线,包括导通区域特性、转移特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线直观地展示了MOSFET在不同工作条件下的性能表现,对于工程师进行电路设计和性能评估具有重要参考价值。
FCB070N65S3采用D2 - PAK封装,封装尺寸和推荐安装 footprint在文档中均有详细说明。其顶部标记为FCB070N65S3,采用330mm卷盘,24mm胶带宽度,每卷800个。对于具体的卷带规格信息,可参考BRD8011/D手册。
onsemi的FCB070N65S3 SUPERFET III MOSFET凭借其卓越的电气性能、良好的温度特性和环保特性,在AC/DC电源转换领域具有广阔的应用前景。作为电子工程师,在设计电源电路时,可以充分考虑这款MOSFET的优势,以实现系统的高效、稳定运行。你在实际应用中是否使用过类似的MOSFET呢?遇到过哪些问题又有哪些解决方案呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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