FCB110N65F：N沟道SuperFET® II FRFET® MOSFET深度解析

在电力电子领域不断发展的今天，各类高性能的MOSFET器件层出不穷，为电源设计等应用带来了更多选择和可能性。今天我们就来深入了解一款颇具特色的MOSFET——FCB110N65F N沟道SuperFET® II FRFET® MOSFET。

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一、品牌背景与型号变更说明

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor收购，由于系统要求，部分原Fairchild可订购的零件编号需要更改。因为ON Semiconductor产品管理系统无法处理带有下划线（）的零件命名，原Fairchild零件编号中的下划线（）将更改为破折号（-）。大家在查询时，若文件中存在带有下划线（_）的设备编号，需到ON Semiconductor网站核实更新后的编号。最准确的订购信息可在www.onsemi.com获取。如有关于系统集成的问题，可发邮件至[e-mail]。

二、产品特性亮点

电气性能出色

• 耐压与电流：该MOSFET的漏源电压（(V{DSS})）可达650V，在(T{J}=150^{circ}C)时，甚至能承受700V的电压。连续漏极电流（(I{D})）在(T{C}=25^{circ}C)时为35A，(T{C}=100^{circ}C)时为24A，脉冲漏极电流（(I{DM})）可达105A，能满足高功率应用需求。
• 低导通电阻：典型的静态漏源导通电阻（(R_{DS(on)})）为96mΩ（最大值110mΩ），低导通电阻意味着在导通状态下功耗更低，能有效提高系统效率。

  开关性能优越

• 低栅极电荷：典型的总栅极电荷（(Q_{g(tot)})）在10V时为98nC，低栅极电荷使得MOSFET的开关速度更快，减少开关损耗，提高系统的工作频率和效率。
• 低输出电容：典型的有效输出电容（(C_{oss(eff.)})）为464pF，低输出电容有助于降低开关过程中的能量损耗，提高开关性能。

  其他特性

• 雪崩测试：经过100%雪崩测试，保证了器件在雪崩状态下的可靠性，能承受一定的能量冲击。
• 环保合规：符合RoHS标准，满足环保要求，可应用于对环保有严格要求的产品中。

三、应用领域广泛

电源领域

适用于电信/服务器电源、计算电源、FPD电视电源等，其低导通电阻和低开关损耗特性有助于提高电源的转换效率，减少发热，延长电源寿命。

新能源领域

在太阳能逆变器中也有很好的应用，能有效提高逆变器的效率和可靠性，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并入电网。

照明领域

可用于照明电源，为照明设备提供稳定、高效的电源供应。

四、关键参数解读

绝对最大额定值

符号	参数	FCB110N65F	单位
(V_{DSS})	漏源电压	650	V
(V_{GSS})	栅源电压（DC）	±20	V
(V_{GSS})	栅源电压（AC、脉冲）	±30	V
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	35	A
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	24	A
(I_{DM})	脉冲漏极电流	105	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	809	mJ
(I_{AR})	雪崩电流	8	A
(E_{AR})	重复雪崩能量	3.57	mJ
(dv/dt)	峰值二极管恢复(dv/dt)	100	V/ns
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	357	W
(P_{D})	25°C以上降额	2.86	(W/^{circ}C)
(T{J}, T{STG})	工作和储存温度范围	-55 至 +150	(^{circ}C)
(T_{L})	焊接最大引脚温度（距外壳1/8”，5秒）	300	(^{circ}C)

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（(B{VDS})）：在(I{D}=10mA)，(V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C)时为650V，(T{J}=150^{circ}C)时为700V，击穿电压温度系数（(Delta B{VDS} / Delta T_{J})）为0.72V/°C。
• 零栅压漏极电流（(I{DSS})）：在不同条件下有不同值，如(V{DS}=520V)，(V{GS}=0V)，(T{C}=125^{circ}C)时为110μA；(V{DS}=650V)，(V{GS}=0V)时为10μA。
• 栅体泄漏电流（(I{GSS})）：(V{GS}=±20V)，(V_{DS}=0V)时为±100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压（(V{GS(th)})）：(V{GS}=V{DS})，(I{D}=3.5mA)时为3 - 5V。
• 静态漏源导通电阻（(R{DS(on)})）：(V{GS}=10V)，(I_{D}=17.5A)时，典型值为96mΩ，最大值为110mΩ。
• 正向跨导（(g{FS})）：(V{DS}=20V)，(I_{D}=17.5A)时，典型值为30S。

动态特性

包含输入电容（(C{iss})）、输出电容（(C{oss})）、反向传输电容（(C_{rss})）等参数，这些参数反映了MOSFET在动态开关过程中的特性，对开关速度和损耗有重要影响。

开关特性

如开通延迟时间（(t{d(on)})）、开通上升时间（(t{r})）、关断延迟时间（(t{d(off)})）、关断下降时间（(t{f})）等，这些参数决定了MOSFET的开关速度和效率。

漏源二极管特性

包括最大连续漏源二极管正向电流（(I{S})）、最大脉冲漏源二极管正向电流（(I{SM})）、漏源二极管正向电压（(V{SD})）、反向恢复时间（(t{rr})）、反向恢复电荷（(Q_{rr})）等，这些参数对于了解MOSFET内部二极管的性能和应用非常重要。

五、典型性能特性

文档中提供了一系列典型性能特性曲线，如导通区域特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随壳温的变化等。这些曲线可以帮助工程师更直观地了解器件在不同条件下的性能表现，为电路设计和优化提供重要参考。同时给出了一些测试电路和波形图，如栅极电荷测试电路和波形、电阻性开关测试电路和波形、非钳位电感开关测试电路和波形、峰值二极管恢复dv/dt测试电路和波形等。这些测试电路和波形有助于工程师理解器件的工作原理和测试方法，在实际应用中进行准确的测试和验证。

六、注意事项

零件编号变更

由于系统集成，部分原Fairchild零件编号需变更，注意查询最新编号。

应用限制

ON Semiconductor产品不设计、不打算也不授权用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备以及用于人体植入的设备。若购买或使用该产品用于此类非预期或未授权的应用，买方需承担相应责任。

参数验证

“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间变化。所有工作参数，包括“典型值”，都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。

FCB110N65F N沟道SuperFET® II FRFET® MOSFET凭借其出色的电气性能和广泛的应用领域，在电力电子领域具有很大的应用潜力。但在实际应用中，工程师们需要充分了解其各项参数和特性，结合具体应用场景进行合理设计和验证，以确保系统的可靠性和性能。大家在使用这款MOSFET的过程中，有没有遇到什么特别的问题或者有独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。