onsemi FDMS8D8N15C MOSFET：高性能解决方案

作为电子工程师，在设计电路时，选择合适的MOSFET至关重要。今天，我们就来深入探讨一下 onsemi 的 FDMS8D8N15C N 沟道屏蔽栅极 POWERTRENCH MOSFET，看看它能为我们的设计带来哪些优势。

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一、产品概述

FDMS8D8N15C 是一款 150V、85A 的 N 沟道 MV MOSFET，采用了 onsemi 先进的 POWERTRENCH 工艺，融入了屏蔽栅极技术。这种工艺经过优化，能在最小化导通电阻的同时，保持卓越的开关性能，并具备一流的软体二极管特性。

二、关键特性

2.1 低导通电阻

• 在 $V{GS}=10V$、$I{D}=45A$ 时，最大 $r_{DS(on)}=8.8mΩ$。
• 在 $V{GS}=8V$、$I{D}=22.5A$ 时，最大 $r_{DS(on)}=9.4mΩ$。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET 的功率损耗更小，能有效提高电路效率，减少发热问题。大家在实际应用中，有没有遇到过因导通电阻过大导致的发热问题呢？

2.2 软恢复体二极管与低 Qrr

具有低 Qrr（反向恢复电荷）和软恢复体二极管特性。软恢复体二极管可以降低开关噪声和 EMI（电磁干扰），这对于对电磁兼容性要求较高的应用场景非常重要。在一些对电磁环境敏感的设备中，这种特性就能发挥很大的作用，你能想到哪些具体的设备吗？

2.3 稳健的封装设计

采用 MSL1 稳健封装设计，并且经过 100% UIL 测试。这种封装设计能提高器件的可靠性和稳定性，同时还具有 Pb - Free 和 RoHS 合规性，符合环保要求。

三、应用领域

3.1 直流 - 直流转换

可作为初级 DC - DC MOSFET，以及 DC - DC 和 AC - DC 中的同步整流器。在直流电源转换电路中，它的低导通电阻和良好的开关性能能够提高转换效率，降低功耗。

3.2 电机驱动

适用于电机驱动应用。能够快速响应控制信号，实现电机的高效、稳定运行。

3.3 太阳能领域

在太阳能系统中，如太阳能逆变器等设备中也能发挥重要作用，提高能源转换效率。

四、参数详解

4.1 最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
$V_{DS}$	漏源电压	150	V
$V_{GS}$	栅源电压	± 20	V
$I_{D}$	漏极电流（连续）：$T{C}=25°C$（注 5）、$T{C}=100°C$（注 5）、$T_{A}=25°C$（注 1a）、脉冲（注 4）	85、54、12.2、340	A
$E_{AS}$	单脉冲雪崩能量（注 3）	102	mJ
$P_{D}$	功率耗散：$T{C}=25°C$、$T{A}=25°C$（注 1a）	132、2.7	W
$T{J}$, $T{STG}$	工作和储存结温范围	-55 至 +150	°C

使用时要注意，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

4.2 电气特性

涵盖了关断特性、导通特性、动态特性和开关特性等多个方面。例如，在导通特性中，不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 条件下，有不同的导通电阻值；开关特性中包含了开通延迟时间、关断延迟时间、上升时间等参数。这些参数对于我们设计电路的开关速度、功率损耗等方面有着重要的影响，在实际设计中需要根据具体需求进行合理选择。

4.3 热特性

热阻方面，$R_{theta JA}$ 的值与器件的安装方式有关，安装在不同的铜焊盘上有不同的数值。这提醒我们在设计 PCB 时，要充分考虑散热问题，合理安排焊盘大小和布局，以确保器件在正常的温度范围内工作。

五、封装与订购信息

该器件采用 Power 56 (PQFN8) 封装，包装为 13 英寸卷带，带宽度为 12mm，每卷 3000 个单位。在订购时，可参考数据手册第 3 页的详细订购和运输信息。

六、总结

总体来说，onsemi 的 FDMS8D8N15C MOSFET 是一款性能出色的产品，具有低导通电阻、低开关噪声、高可靠性等优点，适用于多种应用领域。作为电子工程师，我们在设计电路时，要充分了解器件的特性和参数，结合具体的应用需求，合理选用这款 MOSFET，以实现高效、稳定的电路设计。你们在使用类似 MOSFET 时，有没有遇到过什么特别的设计挑战呢？欢迎在评论区分享交流。