探索 onsemi 的 N 沟道 MOSFET：FDP39N20 与 FDPF39N20

在电源转换和开关应用领域，MOSFET 一直是关键元件。今天就来深入探讨 onsemi 公司的两款高性能 N 沟道 MOSFET：FDP39N20 和 FDPF39N20。

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产品概述

UniFET MOSFET 是 onsemi 基于平面条纹和 DMOS 技术打造的高压 MOSFET 系列。FDP39N20 和 FDPF39N20 这两款产品旨在降低导通电阻，同时提供出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。它们适用于多种开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX 电源和电子灯镇流器等。大家在实际应用中是否遇到过因 MOSFET 性能不佳而导致的电源转换效率问题呢？

产品特性

低导通电阻

在(V{GS}=10V)、(I{D}=19.5A)的条件下，(R_{DS(on)})最大为(66mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET 的功率损耗更小，能够有效提高电源转换效率。这对于追求高功率密度和节能的设计来说至关重要。

低栅极电荷和低(C_{rss})

典型栅极电荷为(38nC)，典型(C{rss})为(57pF)。低栅极电荷可以减少开关过程中的驱动损耗，降低驱动电路的功耗；低(C{rss})则有助于提高开关速度，减少开关时间和开关损耗，从而提升整个系统的性能。

100% 雪崩测试

这两款 MOSFET 经过 100% 雪崩测试，具有较高的雪崩能量强度，能够在雪崩条件下可靠工作，增强了产品的可靠性和稳定性。在实际应用中，雪崩情况可能由于电路中的感性负载等原因产生，有了这种可靠的保护，大家是不是更放心了呢？

应用领域

等离子电视（PDP TV）

在 PDP TV 电源模块中，需要高效稳定的电源转换，FDP39N20 和 FDPF39N20 的低导通电阻和良好的开关性能可以满足这一需求，提高电源效率，降低功耗。

照明领域

在电子灯镇流器中，MOSFET 的开关性能直接影响到灯光的稳定性和效率。这两款产品能够提供快速的开关速度和低损耗，有助于实现高效的照明解决方案。

不间断电源（UPS）和 AC - DC 电源

在这些电源系统中，需要 MOSFET 能够承受高电压和大电流，同时保证高效的电源转换。FDP39N20 和 FDPF39N20 的高耐压和低导通电阻特性使其成为这类应用的理想选择。

产品参数

绝对最大额定值

符号	参数	FDP39N20	FDPF39N20 / FDPF39N20TLDTU	单位
(V_{DSS})	漏源电压	200	200	V
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	39	39*	A
	连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	23.4	23.4*	A
(I_{DM})	脉冲漏极电流（注 1）	156	156*	A
(V_{GSS})	栅源电压	± 30	± 30	V
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量（注 2）	860	860	mJ
(I_{AR})	雪崩电流（注 1）	39	39	A
(E_{AR})	重复雪崩能量（注 1）	25.1	25.1	mJ
(dv/dt)	峰值二极管恢复(dv/dt)（注 3）	4.5	4.5	V/ns
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	251	37	W
	25°C 以上降额	2.0	0.29	W/°C
(T{J}, T{STG})	工作和储存温度范围	-55 至 +150	-55 至 +150	°C
(T_{L})	焊接时最大引脚温度（距外壳 1/8 英寸，5 秒）	300	300	°C

电气特性

符号	参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
(C_{iss})	输入电容	(V{DS}=25V)，(V{GS}=0V)，(f = 1.0MHz)	-	1640	2130	pF
(C_{oss})	输出电容	-	-	400	520	pF
(C_{rss})	反向传输电容	-	-	57	85	pF

动态特性

符号	参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
(td(off))	关断延迟时间	(V{GS}=10V)，(R{G}=25Omega)（注 4）	-	150	310	ns
(tf)	下降时间	-	-	150	-	ns
(Qg)	总栅极电荷	-	-	-	-	nC

封装与订购信息

封装形式

这两款产品提供多种封装形式，包括 TO - 220、TO - 220F 和 TO - 220F（L 形），方便不同应用场景的需求。

订购信息

器件	器件标记	封装	包装
FDP39N20	FDP39N20	TO - 220	1000 个/管
FDPF39N20	FDPF39N20	TO - 220F	1000 个/管
FDPF39N20TLDTU	FDPF39N20T	TO - 220F（L 形）	800 个/管

总结

FDP39N20 和 FDPF39N20 作为 onsemi UniFET MOSFET 系列的优秀代表，凭借其低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩能量强度等特性，在开关电源转换领域具有广泛的应用前景。在设计电源电路时，大家可以根据具体的应用需求和参数要求，合理选择这两款 MOSFET，以实现高效、稳定的电源解决方案。

大家在使用 MOSFET 过程中有没有遇到什么特别的问题或者有什么独特的设计经验呢？欢迎在评论区分享。