onsemi N 沟道 MOSFET：FQP19N20C 与 FQPF19N20C 深度解析

在电子工程领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是电源管理和开关电路设计中不可或缺的元件。今天我们来详细探讨 onsemi 推出的两款 N 沟道增强型功率 MOSFET：FQP19N20C 和 FQPF19N20C。

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产品简介

这两款 MOSFET 采用了 onsemi 专有的平面条纹和 DMOS 技术制造。这种先进技术旨在降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。它们适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器等应用。

产品特性

电气性能

• 高电流与耐压能力：能够承受 19A 的连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)），耐压达 200V，适用于高功率应用场景。在脉冲情况下，漏极电流脉冲值可达 76A。
• 低导通电阻：在 (V{GS}=10V)、(I{D}=9.5A) 条件下，(R_{DS(on)}) 最大为 170mΩ，典型值为 0.14Ω，可有效降低导通损耗，提高电源效率。
• 低栅极电荷与电容：典型栅极电荷为 40.5nC，(C_{rss}) 典型值为 85pF，有助于减少开关损耗，提高开关速度。

可靠性

• 雪崩测试：经过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量 (E{AS}) 为 433mJ，重复雪崩能量 (E{AR}) 为 13.9mJ，保证了在恶劣工作条件下的可靠性。
• 环保合规：这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

关键参数

最大额定值

参数	符号	FQP19N20C	FQPF19N20C	单位
漏源电压	(V_{DSS})	200	-	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	19.0	19.0*	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	12.1	12.1*	A
脉冲漏极电流	(I_{DM})	76.0	76.0*	A
栅源电压	(V_{GSS})	±30	-	V
单脉冲雪崩能量	(E_{AS})	433	-	mJ
雪崩电流	(I_{AR})	19.0	-	A
重复雪崩能量	(E_{AR})	13.9	-	mJ
二极管恢复峰值 dv/dt	(dv/dt)	5.5	-	V/ns
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	139/43	-	W
25°C 以上降额系数	(P_{D})	1.11	0.34	W/°C
工作和存储温度范围	(T{J},T{STG})	- 55 至 +150	-	°C
焊接最大引线温度（距外壳 1/8”，5 秒）	(T_{L})	300	-	°C

注：*漏极电流受最大结温限制。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（(B{V{DSS}})）：在 (I{D}=250mu A)、(V{GS}=0V) 时为 200V，击穿电压温度系数为 0.24V/°C。
• 零栅压漏极电流（(I{DSS})）：(V{DS}=200V)、(V{GS}=0V) 时为 10μA；(V{DS}=160V)、(T_{C}=125^{circ}C) 时为 100μA。
• 栅体正向和反向泄漏电流（(I{GSSF}) 和 (I{GSSR})）：分别在 (V{GS}=30V)、(V{DS}=0V) 和 (V{GS}=- 30V)、(V{DS}=0V) 时为 ±100nA。

导通特性

• 栅源阈值电压（(V{GS(th)})）：在 (V{DS}=V{GS})、(I{D}=250mu A) 时，范围为 2.0 - 4.0V。
• 静态漏源导通电阻（(R{DS(on)})）：(V{GS}=10V)、(I_{D}=9.5A) 时，典型值为 0.14Ω。

动态特性

• 输入电容（(C{iss})）：(V{DS}=25V)、(V_{GS}=0V)、(f = 1.0MHz) 时，典型值为 830pF，最大值为 1080pF。
• 输出电容（(C_{oss})）：典型值为 195pF，最大值为 255pF。
• 反向传输电容（(C_{rss})）：典型值为 85pF，最大值为 110pF。

开关特性

在 (V{DD}=100V)、(I{D}=19.0A)、(R{g}=25Omega) 条件下，导通延迟时间 (t{d(on)}) 典型值为 310ns，关断延迟时间 (t_{d(off)}) 为 135 - 280ns，关断下降时间为 240ns。

封装与订购信息

封装

• FQP19N20C：采用 TO - 220 封装。这种封装具有较好的散热性能，适用于需要较高功率耗散的应用。
• FQPF19N20C：采用 TO - 220F 封装，同样具有良好的散热特性。

订购信息

器件型号	封装	包装数量
FQP19N20C	TO - 220	1000 个/管
FQPF19N20C	TO - 200F	1000 个/管

典型特性曲线

文档中提供了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化以及瞬态热响应曲线等。这些曲线对于工程师在设计电路时评估器件性能、确定工作点和进行热管理非常有帮助。

机械尺寸

文档详细给出了 TO - 220 Fullpack 3 - 引脚和 TO - 220F - 3SG 以及 TO - 220 - 3LD 封装的机械尺寸和公差要求，同时还说明了一些注意事项，如尺寸和公差遵循 ASME Y14.5 - 2009 标准，尺寸不包括毛刺、模具飞边和连接条突出部分等。

总结

onsemi 的 FQP19N20C 和 FQPF19N20C N 沟道 MOSFET 凭借其出色的电气性能、高可靠性和环保特性，为开关模式电源、PFC 和电子灯镇流器等应用提供了优秀的解决方案。工程师在设计电路时，可以根据具体的应用需求，结合器件的参数和特性曲线，合理选择和使用这两款 MOSFET，以实现高效、稳定的电路设计。你在实际应用中有没有遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎在评论区交流分享。