onsemi NTLJD4116NT1G 双 N 沟道 MOSFET 评测：小封装大能量

最近在研究电源管理和开关电路相关的设计，偶然接触到了 onsemi 推出的 NTLJD4116NT1G 双 N 沟道 MOSFET，今天就和大家分享一下我对这款产品的评测。

文件下载：NTLJD4116N-D.PDF

产品概述

NTLJD4116NT1G 是 onsemi 公司生产的一款 30V、4.6A 的双 N 沟道 MOSFET，采用了 2x2mm 的 WDFN 封装。这种小巧的封装设计，不仅节省了电路板空间，还具备出色的散热性能，非常适合对空间和散热要求较高的便携式设备。

产品特性

封装与散热优势

WDFN 封装为这款 MOSFET 提供了出色的热传导性能。它带有外露的漏极焊盘，能够有效地将热量散发出去，保证了在高功率运行时的稳定性。而且其 2x2mm 的占位面积与 SC - 88 相同，对于那些已经采用 SC - 88 封装设计的工程师来说，可以方便地进行替换升级。同时，它的低外形（<0.8mm）设计，使其能够轻松适应轻薄型设备的内部环境。大家在设计超薄型便携式设备时，是否会优先考虑这种低外形的封装呢？

低导通电阻性能

在 2x2mm 封装的 MOSFET 中，NTLJD4116NT1G 具有最低的 (R{DS(on)}) 。它具备 1.5V (R{DS(on)}) 额定值，能够在低电压栅极驱动逻辑电平下正常工作，这对于一些对功耗要求较高的低电压应用场景来说非常实用，例如便携式设备中的电池和负载管理电路。

环保设计

该器件是无铅产品，符合环保要求，这在如今对电子产品环保性能日益重视的大环境下，无疑是一个重要的优势。

应用场景

DC - DC 转换器

在 DC - DC 转换器的降压和升压电路中，NTLJD4116NT1G 能够发挥出色的性能。它可以实现高效的电压转换，为电路提供稳定的电源输出。在设计 DC - DC 转换器时，大家通常会关注哪些性能指标呢？

负载开关

作为低侧负载开关，它可以有效地控制负载的通断，实现对电路的精确控制。同时，它还经过优化，适用于便携式设备中的电池和负载管理应用，如手机、PDA、媒体播放器等。

电平转换

在高侧负载开关的电平转换应用中，该 MOSFET 也能表现出良好的性能，确保信号的稳定传输。

电气特性

耐压与电流能力

其漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 为 30V，能够承受一定的电压冲击。在连续漏极电流方面，(T{A}=25^{circ}C) 时为 4.6A，(T_{A}=85^{circ}C) 时为 1.8A，能够满足不同温度环境下的电流需求。

导通电阻特性

不同栅源电压下的导通电阻表现如下：

• (V{GS}=4.5V)，(I{D}=2.0A) 时，(R_{DS(on)}) 为 47 - 70mΩ；
• (V{GS}=2.5V)，(I{D}=2.0A) 时，(R_{DS(on)}) 为 56 - 90mΩ；
• (V{GS}=1.8V)，(I{D}=1.8A) 时，(R_{DS(on)}) 为 88 - 125mΩ；
• (V{GS}=1.5V)，(I{D}=1.5A) 时，(R_{DS(on)}) 为 133 - 250mΩ。

从这些数据可以看出，随着栅源电压的降低，导通电阻会逐渐增大。那么在实际应用中，我们该如何根据具体的电路需求来选择合适的栅源电压呢？

开关特性

在开关特性方面，它具有较快的开关速度。例如，在 (V{GS}=4.5V)，(V{DD}=15V)，(I{D}=2.0A)，(R{G}=2.0Ω) 的测试条件下，开通延迟时间 (t{d(ON)}) 为 4.8ns，上升时间 (t{r}) 为 11.8ns，关断延迟时间 (t{d(OFF)}) 为 14.2ns，下降时间 (t{f}) 为 1.7ns。快速的开关速度有助于提高电路的工作效率，减少开关损耗。

热阻特性

单管工作情况

• 结到环境的稳态热阻（采用 1 平方英寸焊盘尺寸）(R_{JA}) 最大为 83°C/W；
• 结到环境的稳态最小焊盘热阻 (R_{JA}) 为 177°C/W；
• 结到环境在 (tleq5s) 时的热阻 (R_{JA}) 为 54°C/W。

双管工作情况

• 结到环境的稳态热阻 (R_{eJA}) 为 58°C/W；
• 结到环境的稳态最小焊盘热阻 (R_{OJA}) 为 133°C/W；
• 结到环境在 (tleq5s) 时的热阻 (R_{eJA}) 为 40°C/W。

从热阻数据可以看出，合理的焊盘设计对于降低 MOSFET 的温度非常重要。在实际设计中，大家会采用哪些方法来优化焊盘设计以提高散热性能呢？

总结

总体来说，onsemi 的 NTLJD4116NT1G 双 N 沟道 MOSFET 是一款性能出色的产品。它的小巧封装、低导通电阻、良好的散热性能以及丰富的应用场景，使其在便携式设备、电源管理等领域具有很大的优势。不过，在实际应用中，我们还需要根据具体的电路需求和工作环境，综合考虑其电气特性和热阻特性等因素，以确保电路的稳定运行。大家在使用类似的 MOSFET 时，有没有遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享。