Vishay宣布推出新款第四代n沟道功率MOSFET 导通电阻比前代器件降低36％

器件采用PowerPAK？ SO－8单体封装，栅极电荷为52 nC，输出电荷为68 nC均达到同类产品最佳水平

2019年2月21日，日前Vishay Intertechnology， Inc．（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6．15 mm x 5．15 mm PowerPAK SO－8单体封装的60 V TrenchFET 第四代 n沟道功率MOSFET－－－SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率，导通电阻比前代器件降低36％，同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。

日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1．7 mW，栅极电荷仅为52 nC，输出电荷为68 nC，COSS为992 pF。在功率转换应用中，这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数 （FOM） 分别比前代器件降低32 ％和45 ％。MOSFET的COSS降低69 ％。

SiR626DP改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC／DC拓扑结构同步整流，隔离式DC／DC拓扑结构原边和副边开关效率，适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

MOSFET经过100％ RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周，视市场情况而定。