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STM32F10XXX的闪存编程手册资料免费下载
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本编程手册介绍了如何对STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的闪存进行编程。为方便起见，除非另有规定，否则本文件其余部分将称为STM32F10XXX。
STM32F10XXX嵌入式闪存可通过电路内编程或应用程序编程进行编程。
电路内编程（ICP）方法用于更新闪存的全部内容，使用JTAG、SWD协议或引导加载程序将用户应用程序加载到微控制器中。国际比较项目提供了快速和有效的设计迭代，并消除了不必要的包装处理或设备套接。
与ICP方法相比，应用程序编程（IAP）可以使用微控制器支持的任何通信接口（I/OS、USB、CAN、UART、I2C、SPI等）将编程数据下载到内存中。IAP允许用户在应用程序运行时重新编程闪存。然而，部分应用程序必须事先使用ICP在闪存中进行编程。
闪存接口基于AHB协议实现指令访问和数据访问。它实现了一个预取缓冲区，加速了CPU代码的执行。它还执行执行闪存操作（程序/擦除）所需的逻辑。程序/擦除操作可以在整个产品电压范围内执行。还实现了读/写保护和选项字节。
本节介绍如何读取或编程到STM32F10XXX嵌入式闪存。
嵌入式闪存模块可以作为公共存储空间直接寻址。任何数据读取操作都通过专用的读取感测器访问闪存模块的内容，并提供请求的数据。
读接口包括一个读控制器在一边访问闪存和一个AHB接口在另一边与CPU接口。读取接口的主要任务是生成控制信号，从闪存中读取，并预取CPU所需的块。预取块仅用于通过I代码总线获取指令。通过D代码总线访问文本池。由于这两条总线与目标具有相同的闪存，所以D代码总线访问优先于预取访问。
本节简要定义了本文件中使用的缩略语和缩略语：
●低密度设备为STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器，其中闪存密度在16至32千字节之间。
●中密度设备为STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器，其中闪存密度在64至128千字节之间。
●高密度设备为STM32F101xx和STM32F103xx微控制器，其中闪存密度在256至512 kbytes之间。
●Cortex-M3核心集成了两个调试端口：
-JTAG调试端口（JTAG-DP）提供基于联合测试行动组（JTAG）协议的5针标准接口。
–SWD调试端口（SWD-DP）提供基于串行线调试（SWD）协议的2针（时钟和数据）接口。对于JTAG和SWD协议，请参考Cortex M3技术参考手册。
●字：32位长度的数据/指令
●半字：16位长度的数据/指令
●字节：8位长度的数据
●fpec（闪存程序/擦除控制器）：对主存储器和信息块的写入操作由嵌入式闪存程序/擦除控制器（fpec）管理。
●iap（在应用程序编程中）：iap是在用户程序运行时对微控制器的闪存重新编程的能力。
●ICP（电路编程）：ICP是在设备安装在用户应用板上时，使用JTAG协议、SWD协议或引导加载程序对微控制器的闪存进行编程的能力。
●I-代码：该总线将Cortex-M3内核的指令总线连接到Flash指令接口。在此总线上执行预取。
●D-代码：该总线将Cortex-M3的D-代码总线（文字加载和调试访问）连接到闪存数据接口。
●选项字节：存储在闪存中的产品配置位
●obl：可选字节加载器。
●AHB：高级高性能总线。
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