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隔离器
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隔离器是一种采用线性光耦隔离原理，将输入信号进行转换输出。
FFSB2065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FFSH2065BDN_F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FFSH3065A SiC二极管 - 650 V 30 A.
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSH3065ADN SiC二极管 650V 30A TO-247-3 共阴极
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FSV1550V 15 A 50 V超低VF肖特基整流器
FSV1550V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 符合RoHS标准
FFSH40120A SiC肖特基二极管 1200 V 40 A.
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSH3065B_F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FSV2050V 20 A 50 V超低VF肖特基整流器
FSV2050V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 符合RoHS标准
FSV15100V 15 A 100 V超低VF肖特基整流器
FSV15100V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
FSV20100V 20 A 100 V超低VF肖特基整流器
FSV20100V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
FSV2060L 20 A 60 V超低VF肖特基整流器
FSV2060L 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 符合RoHS标准
FFSH4065A SiC二极管 650V 40A TO-247-2
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSH5065A SiC二极管 650V 50A TO-247-2
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSM0865A SiC二极管 - 650V 8A PQFN88
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSH4065ADN-F155 SiC二极管 650V 40A TO-247-3 共阴极
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSM1065A SiC二极管 - 650V 10A PQFN88
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSH5065A-F155 SiC二极管 650V 50A TO-247-3
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSP0465A SiC二极管 - 650V 4A TO-220-2
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSPF0865A SiC二极管 - 650V 8A TO-220FP-2
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSM1265A SiC二极管 - 650V 12A PQFN88
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
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