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隔离器
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隔离器是一种采用线性光耦隔离原理，将输入信号进行转换输出。
FFSB0665A SiC二极管 - 650V 6A D2PAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSB1265A SiC二极管 - 650V 12A D2PAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSM0465A SiC二极管 - 650V 4A PQFN88
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSB1065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FFSB10120A-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 1200V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半
FFSB0865A SiC二极管 - 650V 8A D2PAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSB0465A SiC二极管 - 650V 4A D2PAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSB1065A SiC二极管 - 650V 10A D2PAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSH1665A SiC二极管 - 650 V 16 A.
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSB3065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半
FFSD1065A SiC二极管 - 650V 10A DPAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSB20120A SiC二极管 1200V 20A D2PAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半
FFSB10120A SiC二极管 1200V 10A D2PAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半
FFSD0465A SiC二极管 - 650V 4A DPAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSD1065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导
FFSD0865A SiC二极管 - 650V 8A DPAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSD0665A SiC二极管 - 650V 6A DPAK
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSH1665ADN SiC二极管 650V 16A TO-247-3 共阴极
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSH2065A SiC二极管 - 650 V 20 A.
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
FFSH30120A SiC二极管 1200V 30A TO-247-2
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系
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