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射频/RFID
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射频是Radio Frequency的缩写,表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围从300KHz~300GHz之间。
HMC-C043 I/Q混频器/IRM模块,11 - 16 GHz
优势和特点 宽IF带宽: DC - 3.5 GHz 镜像抑制: 30 dB LO至RF隔离: 35 dB 高输入IP3: +28 dBm 密封模块 可
HMC-C014 DBL-BAL混频器模块,16 - 32 GHz
优势和特点 无源: 无需直流偏置 输入IP3: +19 dBm LO/RF隔离: 35 dB 宽IF带宽: DC - 8 GHz 密封模块 可现场更
HMC-C015 DBL-BAL混频器模块,24 - 38 GHz
优势和特点 无源: 无需直流偏置 输入IP3: +20 dBm LO/RF隔离: 35 dB 宽IF带宽: DC - 8 GHz 密封模块 可现场更换
HMC-C035 DBL-BAL混频器模块,23 - 37 GHz
优势和特点 宽IF带宽: DC - 13 GHz 无源: 无需直流偏置 输入IP3: +19 dBm LO/RF隔离: 35 dB 密封模块 可现场
HMC-C041 I/Q混频器/IRM模块,6 - 10 GHz
优势和特点 宽IF带宽: DC - 3.5 GHz 镜像抑制: 35 dB LO至RF隔离: 45 dB 高输入IP3: +25 dBm 密封模块 可
HMC-C044 I/Q混频器/IRM模块,15 - 23 GHz
优势和特点 宽IF带宽: DC - 3.5 GHz 镜像抑制: 30 dB LO至RF隔离: 35 dB 高输入IP3: +25 dBm 密封模块 可
ADAR1000 4 通道 X 频段和 Ku 频段波束形成器,8 GHz 至 16 GHz
优势和特点 频率范围 8 GHz 至 16 GHz 半双工,适用于发射和接收模式 单一引脚发射和接收控制 360° 相位调整范围 2.8° 相位分辨率 ≥31
AD9856 CMOS 200 MHz正交数字上变频器
优势和特点 通用低成本调制器解决方案,适合通信应用 输出带宽:DC至80 MHz 集成12位数模转换器 可编程采样速率插值滤波器 可编程基准时钟乘法器 SIN
AD9957 1 GSPS正交数字上变频器,内置18位IQ数据路径和14位DAC
优势和特点 1 GSPS内部时钟速度(最高400 MHz模拟输出) 集成1 GSPS、14位DAC 250 MHz I/Q数据吞吐量 相位噪声 ≤ −125
AD9857 CMOS 200 MSPS、14位正交数字上变频器
优势和特点 200 MHz内部时钟速率 14位数据路径 出色的动态性能:80 dB SFDR (65 MHz ± 100 kHz AOUT) 4×至20×可编
HMC500 HBT矢量调制器,采用SMT封装,1.8 - 2.2 GHz
优势和特点 连续相位控制: 360° 连续增益: 40 dB控制 输出噪底: -162 dBm/Hz 输入IP3: +33 dBm 3x3 mm QFN
ADL5390 RF矢量乘法器
优势和特点 工作频率范围:20 MHz至2.4 GHz 连续幅度控制范围:+5 dB至-30 dB 笛卡尔I/Q基带频率范围:DC至230 MHz 输出三阶交
HMC631 HBT矢量调制器,采用SMT封装,1.8 - 2.7 GHz
优势和特点 连续相位控制:360° 连续增益控制:40 dB 输出噪底:-160 dBm/Hz 输入IP3:+35 dBm 16引脚3x3mmSMT封
HMC543A 22.5° MMIC 4位数字移相器,8 - 12 GHz
优势和特点 低RMS相位误差:4° 低插入损耗:6.5 dB 出色的平坦度 360°覆盖,LSB = 22.5° 24引脚陶瓷SMT封装:16mm2产品详情
HMC1133 GaAs MMIC 6位数字移相器,4.8 - 6.2 GHz
优势和特点 低RMS相位误差: 2.8° 低插入损耗:5 dB 高线性度: +46 dBm 正控制逻辑 360°覆盖, LSB = 5.625° 32引脚5x
HMC936A 6位数字移相器SMT,1.2 - 1.4 GHz
优势和特点 低RMS相位误差:1.2° 低插入损耗: 5 dB 高线性度: +45 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28
HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz
优势和特点 低RMS相位误差: 2.5度至3.5度 低插入损耗: 6.5 dB至7 dB 高线性度: 41 dBm 正控制电压和正控制逻辑 360度覆盖
HMC-C047 I/Q混频器模块,30 - 38 GHz
优势和特点 宽IF带宽: DC - 3.5 GHz 镜像抑制: 15 dB LO至RF隔离: 35 dB 高输入IP3: 19 dBm 密封模块 可
HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz
优势和特点 低RMS相位误差: 1.2度 低插入损耗: 5 dB 高线性度: 45 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片
HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz
优势和特点 低RMS相位误差: 3度 低插入损耗: 6.5 dB至8 dB 高线性度: 44 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度
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