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模块是一个设计术语，是指集成电路分块化的形容。
NSVR351SDSA3 用于混频器和检波器的肖特基势垒二极管
这种肖特基势垒二极管旨在实现紧凑和高效的设计。两个肖特基势垒二极管集成在一个SC-59封装中。双肖特基势垒二极管的使用可以降低系统成本和电路板空间。该肖特基势垒
FSV15120V 15 A 120 V超低VF肖特基整流器
FSV15120V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
BAWH56 70V双通用阳极开关二极管 + 175°C
这种采用SOT封装的共阳极开关二极管专为超高速表面贴装开关应用而设计。该器件具有+ 175°CT J（MAX）规格，因此适用于高温和关键任务应用。 特性
BASH19 高压开关二极管系列 + 175°C
这款采用SOT-23封装的高压开关二极管系列专为超高速表面贴装开关应用而设计。该器件系列具有+ 175°CT J（MAX）规格，因此适用于高温和关键任务应用。
1N3070 高电导快速二极管
1N3070 应用 此产品是一般用途，适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图
1N456A 高电导 低泄漏二极管
1N456A 应用 此产品是一般用途，适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图
1N457 高电导 低泄漏二极管
1N457 应用 此产品是一般用途，适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图
1N5282 小信号二极管
1N5282 应用 此产品是一般用途，适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图
1N459A 高电导 低泄漏二极管
1N459A 应用 此产品是一般用途，适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图
1N485B 通用低泄露二极管
1N485B 应用 此产品是一般用途，适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图
BZX79C2V7 齐纳二极管
BZX79C2V7 应用 此产品是一般用途，适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图
NSPU3051 5.5 V单向浪涌保护器件
NSPU3051旨在保护电压敏感元件免受ESD影响。出色的钳位能力，低泄漏，高峰值脉冲电流处理能力和快速响应时间，可为暴露于ESD的设计提供一流的保护。由于尺
BZX79C3V3 齐纳3.3V 05W 5％
这是一系列500 mW齐纳二极管，具有极限和出色的工作特性，能够反映氧化硅钝化结的卓越性能。所有这些都采用轴向引线密封玻璃封装，可在所有常见环境条件下提供保护。
NUP2115L FlexRay收发器的ESD保护
SZ / NUP2115L旨在保护FlexRay收发器免受ESD和其他有害浪涌事件的影响。该器件采用单个紧凑型SOT-23封装，为每条数据线提供双向保护，为系
NSPU5221 ESD和浪涌保护二极管低钳位电压
NSPU5221 特性 单向高压ESD和浪涌保护 为IEC61000-4-2第4级提供ESD保护：±30 kV接触放电
NUP2301 用于ESD保护的低电容二极管阵列
NUP2301MW6是一款微集成器件，旨在为敏感元件提供保护，防止可能出现的有害电气瞬变，如ESD。 特性 低电容（2.0 pF） I / O行
NUP4004M5 浪涌抑制器 5针 双向 四路
这款5引脚双向浪涌抑制器阵列专为需要浪涌保护功能的应用而设计。它适用于瞬态电压和ESD敏感设备，如计算机，打印机，手机，医疗设备和其他应用。其集成设计使用单个T
PACDN1408 ESD保护阵列
PACDN1404和PACDN1408是4通道和8通道瞬态电压抑制器阵列，可为可能受到ESD的敏感电子元件提供非常高水平的保护。 特性 优势
NUP5120X6 电涌保护器阵列
这款5线电涌保护器阵列专为需要ESD和浪涌保护功能的应用而设计。它适用于过载瞬态电压和ESD敏感设备，如手机，便携式设备，计算机，打印机和其他应用。该器件采用单
ESDM1131 用于ESD保护的微封装二极管
ESDM1131旨在保护电压敏感元件免受ESD影响。出色的钳位能力，低泄漏和快速响应时间可为暴露于ESD的设计提供最佳保护。由于尺寸小，它适用于智能手机，智能
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