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模块是一个设计术语，是指集成电路分块化的形容。
FXMA108 双电源8位电压转换器
FXMA108是一款可配置的双电压电源转换器，设计用于两个逻辑电平之间的单向和双向电压转换。该器件允许的电压转换范围为最高5.5V，最低1.65V。 A端口跟
NLSF302 四路2输入NOR门
NLSF302是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS 2输入NOR门。它实现了类似于等效双极肖特基TTL的高速操作，同时保持CMOS低功耗。 内部电路
NLSF308 四路2输入与门
NLSF308是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS双输入AND门。它实现了类似于等效双极肖特基TTL的高速操作，同时保持CMOS低功耗。 内部电路由
NLV17SZ04 单逆变器
NLV17SZ04 MiniGate;是一个单独的逆变器，工作电压为1.65-5.5 V，可在非常流行的SC70 / SC88a / SOT-353 paca
NLVHC1G32 单2输入或门
MC74HC1G32是采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS 2输入或门。 内部电路由多级组成，包括缓冲输出，提供高抗噪性和稳定输出。 br> 与MC74HC
NLX2G14 带施密特触发器输入的双路逆变器
NLX2G14 电路图、引脚图和封装图
RS1JFA 0.8 A 600 V表面贴装快速恢复
RS1JFA 特性 玻璃钝化芯片结 高效的快速开关 高浪涌能力 低正向电压：1.3 V最大值
1N4004 标准整流器 400 V 1.0 A
此标准整流器专为通用，低功耗应用而设计。 特性 案例：环氧树脂，模压 重量：0.4克（约） 表面处理：所有外表面耐腐蚀，端
NRVS1JFL 表面通用整流器
NRVS1JFL 特性 超薄型材 - 最大高度1.08 mm UL易燃性94V-0分类 MSL 1级
DF02S 1.5A桥式整流器
DF02S 特性 浪涌过载额定值：50A峰值电流 玻璃钝化结。 低泄漏。 无铅符合欧盟RoHS 2002/
DF04M 1.5A桥式整流器
DF04M 特性 浪涌过载额定值：50A峰值电流 玻璃钝化结。 低泄漏。 通过UL认证，UL证书编号为E1
1N5818 30 V 1.0 A肖特基整流器
肖特基整流器采用肖特基势垒原理，采用大面积金属硅功率二极管。肖特基整流器采用最先进的几何结构，具有镀铬阻挡金属，外延结构，氧化钝化和金属重叠接触。它非常适合用作
1SS351 肖特基势垒二极管 5V 30mA 0.69pF 双CP
1SS351是肖特基势垒二极管，5V，30mA，0.69pF，双CP用于UHF探测器，混频器应用。 特性 2个元素的串联连接小尺寸封装有助于高
MMBD701L 70 V肖特基二极管
肖特基二极管主要用于高效UHF和VHF探测器应用。它很容易适应许多其他快速切换RF和数字应用。它采用廉价的塑料包装，可满足低消耗量和工业/商业需求。它可以在Su
80SQ045N 45 V 8.0 A轴向引脚肖特基整流器
轴向引线肖特基整流器采用肖特基势垒原理，采用大面积金属硅功率二极管。现有技术的几何结构具有外延结构，具有氧化物钝化和金属重叠接触。它非常适合用作低压，高频逆变器
1N5821 肖特基势垒整流器 3.0 A 30 V
肖特基整流器采用肖特基势垒原理，采用大面积金属硅功率二极管。肖特基整流器采用最先进的几何结构，具有镀铬阻挡金属，外延结构，氧化钝化和金属重叠接触。它非常适合用作
FSV12150V 12 A 150 V超低VF肖特基整流器
FSV12150V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
FSV12120V 12 A 120 V超低VF肖特基整流器
FSV12120V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
FSV15150V 15 A 150 V超低VF肖特基整流器
FSV15150V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
FSV20120V 20 A 120 V超低VF肖特基整流器
FSV20120V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
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