CGHV27060MP高电子迁移率晶体管 (HEMT)

型号: CGHV27060MP

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CGHV27060MP 是一个 60-W 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),封装在一个小型封装中;塑料 SMT 封装 4.4 毫米 x 6.5 毫米。晶体管是一种宽带器件,没有内部输入或输出匹配;这允许敏捷性适用于从 UHF 到 2.7 GHz 的广泛频率。CGHV27060MP 是用于 UHF 脉冲应用的优秀晶体管;L 波段或低 S 波段 (<2.7 GHz)。此外; 该晶体管非常适用于 A/B 类等高效拓扑中平均功率为 10 至 15W 的功率等级的 LTE 微型基站放大器;F 或 Doherty 放大器。数据表中描述的 CGHV27060MP 典型性能源自 2.5 至 2.7 GHz 的 A/B 类参考设计。

CGHV27060MP

 

特征
从 UHF 到 2.7GHz
脉冲 PSAT 时 16.5 dB 增益
脉冲 PSAT 的效率为 70%
脉冲 PSAT 时为 85 W
线性 PAVE = 14 W 时 18 dB 增益
线性 PAVE = 14 W 时 -35 dBc ACLR
线性 PAVE = 14 W 时效率为 33%
可应用高度 DPD 校正

应用
UHF 的脉冲应用;L波段;或低 S 波段。还; 在 A/B 类等高效拓扑中具有 10 至 15 W 平均功率的通信放大器;F; 或多尔蒂


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