CGHV96050F1 是一种基于碳化硅 (SiC) 衬底的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 IM FET 采用金属/陶瓷法兰封装，可实现最佳电气和热性能。
特征
7.9 – 8.4 GHz 操作
80 W POUT 典型值
>13 dB 功率增益
33 % 典型线性 PAE
50 欧姆内部匹配
<0.1 dB 功率下降
应用
卫星通讯
地面宽带
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