CMPA801B025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 包含两级无功匹配放大器设计方法，可实现非常宽的带宽。它可以在模具中使用；10 引脚金属/陶瓷法兰封装 (CMPA801B025F) 或小尺寸药丸封装 (CMPA801B025P)，可实现最佳电气和热性能。
特征
28 dB 小信号增益
35 W 典型 PSAT
工作电压高达 28 V
高击穿电压
高温操作
应用
点对点无线电
通讯
测试仪器
EMC 放大器
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