| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 功率(Pd) | 200mW | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,500mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 20pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | +150℃@(Tj) |
2N7002 N沟道 60V 115mA
型号:
2N7002
品牌:
JSMSEMI(杰盛微)