1550nm半导体光放大器SOA芯片
见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的芯片。符合GR-468-CORE标准。该芯片全工艺国产，交期短供货快，与国外主流SOA芯片兼容，并可满足客户快速订制需求。主要应用于光纤传感、激光雷达、光纤通信等产品中。
亮点
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应用
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典型特性
 
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产品规格（芯片温度@25℃）
参数 | 符号 | 工作条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
工作波长 | λ | --- | 1490 | 1515 | 1590 | nm |
带宽 | Δλ | @-3dB | 55 | --- | 60 | nm |
工作电流 | If | --- | --- | 250 | 400 | mA |
饱和光功率 | Psat | If=250mA | 13 | --- | 16 | dBm |
小信号增益 | G | If=250mA Pin=-25dBm | 25 | --- | 30 | dB |
静态消光比1 | ER1 | If=250mA/If=0mA Pin=0dBm | --- | 50 | --- | dB |
静态消光比2 | ER2 | If=250mA/If=-0.4mA Pin=0dBm | --- | 65 | --- | dB |
芯片出光角度 | --- | --- | --- | 30 | --- | ° |
噪声系数 | NF | --- | --- | 7.5 | --- | dB |
偏振相关增益 | PDG | --- | --- | 1.5 | 2.0 | dB |
正向电压 | Vf | --- | --- | --- | 1.8 | V |
光斑尺寸 | θL/θT | --- | --- | 16/30 | --- | ° |
工作温度 | TC | I=Iop | -10 | --- | 70 | ℃ |
存储温度 | Tstg | --- | -40 | --- | 85 | ℃ |
芯片尺寸(长x宽L x高) | --- | 900x400x100 (+/-15) | µm | |||
芯片结构尺寸（mm）
