VBsemi的086N10N-VB是一款TO262封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、2.5V的阈值电压（Vth）、在VGS=4.5V时的10mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、在VGS=10V时的9mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、以及100A的漏极电流（ID）。该产品采用槽道（Trench）技术。
**产品简介：**
VBsemi的086N10N-VB是一款高性能TO262封装的单N沟道MOSFET，适用于需要高功率密度和低导通电阻的应用场合。它具有优异的导通特性和稳定性，可在各种高电流应用中提供可靠的性能。
**详细参数说明：**
- 封装：TO262
- 极性：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：100V
- 栅极-源极电压（VGS）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：2.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=4.5V，9mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：100A
- 技术：槽道（Trench）
**应用领域和模块示例：**
1. 电源管理模块：086N10N-VB可用于电源管理模块中，作为高功率开关元件，提供高效的能源转换。
2. 电动汽车控制器：在电动汽车控制器中，086N10N-VB可用于电动机控制，提供高功率密度和可靠性。
3. 电源适配器：适用于电源适配器的086N10N-VB具有低导通电阻和高电流能力，可提供稳定的电源输出。
4. 风力发电系统：086N10N-VB可用于风力发电系统中，作为风力涡轮机控制的关键元件，提供高效的能源转换。
5. 工业自动化控制系统：在工业自动化控制系统中，086N10N-VB可用于电源开关和电机控制，提供可靠的能源管理和控制功能。
这些示例说明了086N10N-VB在多个领域和模块中的广泛应用，展示了其在不同应用环境下的高性能和稳定性。