JANTX2N6798：高效能N沟道功率MOSFET
产品概述
JANTX2N6798是IR公司的一款高性能N沟道功率MOSFET，专为高效能和高可靠性应用而设计。其出色的电气特性使其在电源管理和电机控制等领域得到了广泛应用。
产品技术资料
最大漏极源极电压 (Vds)：60V
最大漏极电流 (Id)：75A
栅源阈值电压 (Vgs(th))：2V - 4V
Rds(on)：0.025Ω（在Vgs = 10V时）
封装类型：TO-220
JANTX2N6798的低导通电阻和快速开关响应特性使其在高频应用中表现优异，能够有效降低能量损耗。
产品应用
JANTX2N6798适用于以下应用：
开关电源
DC-DC转换器
电机驱动
高频开关电路
逆变器
凭借其卓越的性能，JANTX2N6798成为了设计师们在选择功率MOSFET时的优选产品。
产品介绍
JANTX2N6798的设计旨在提供高效能和稳定性。其低导通电阻和优异的热性能使得在高负载条件下依然能够保持稳定的工作状态。该器件的快速开关特性使得在各种应用场合都能保持高效能。
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