### 产品简介：2SK3402-Z-VB MOSFET
2SK3402-Z-VB 是一款由VBsemi生产的高性能单N沟道MOSFET，采用TO252封装。该器件设计用于提供高效率和可靠性，适用于各种电力和开关应用。2SK3402-Z-VB 的主要特点包括60V的漏极-源极电压（VDS）、±20V的栅极-源极电压（VGS），以及58A的漏极电流（ID）。器件采用Trench技术，具有较低的导通电阻（RDS(ON)）和快速的开关特性，使其在中功率应用中表现出色。
### 详细参数说明
- **型号**: 2SK3402-Z-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 13mΩ @ VGS = 4.5V, 10mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 58A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: 由于2SK3402-Z-VB 具有较低的导通电阻和适中的漏极电流能力，因此适用于中功率开关电源和直流-直流转换器。
2. **电池管理**: 在锂电池组中，MOSFET 用于电池的充放电管理和保护。2SK3402-Z-VB 的低RDS(ON)和适中的ID 特性使其成为电池管理电路中的理想选择。
3. **电动汽车驱动**: 电动汽车需要高功率的开关器件来驱动电机。2SK3402-Z-VB 可以用于电动汽车的电机驱动器中，提供可靠的开关功能。
4. **工业控制**: 在工业控制系统中，2SK3402-Z-VB 可以用作开关器件，用于控制各种电力设备和电动机。
综上所述，2SK3402-Z-VB MOSFET 以其中功率特性和可靠性，适用于电源管理、电池管理、电动汽车驱动和工业控制等多个领域，助力实现高效能和稳定运行。