N沟道场效应管STW4N150/1.5KV/4A

型号: STW4N150
品牌: ST(意法)

--- 产品参数 ---

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优起辰电子

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--- 产品详情 ---

制造商:  STMicroelectronics 

产品种类:  MOSFET 

RoHS:  Yes 

技术:  Si 

安装风格:  Through Hole 

封装 / 箱体:  TO-247-3 

晶体管极性:  N-Channel 

通道数量:  1 Channel 

Vds-漏源极击穿电压:  1.5 kV 

Id-连续漏极电流:  4 A 

Rds On-漏源导通电阻:  7 Ohms 

Vgs - 栅极-源极电压:  - 30 V, + 30 V 

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V 

Qg-栅极电荷:  30 nC 

最小工作温度:  - 55 C 

最大工作温度:  + 150 C 

Pd-功率耗散:  160 W 

通道模式:  Enhancement 

商标名:  PowerMESH 

封装:  Tube 

商标:  STMicroelectronics 

配置:  Single 

下降时间:  45 ns 

高度:  20.15 mm 

长度:  15.75 mm 

产品类型:  MOSFETs 

上升时间:  30 ns 

系列:  STW4N150 

包装数: 600 

子类别:  Transistors 

晶体管类型:  1 N-Channel 

典型关闭延迟时间:  45 ns 

典型接通延迟时间:  35 ns 

宽度:  5.15 mm 

单位重量:  6 g 

--- 数据手册 ---