制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: Yes
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 29.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerMESH
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 61 ns
正向跨导 - 最小值: 2.6 S
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 47 ns
系列: STW3N150
包装数： 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
宽度: 5.15 mm
单位重量: 6 g