4513GD-VB一款Dual-N+P沟道DIP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 4513GD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 4513GD-VB MOSFET 产品简介

4513GD-VB 是一款双通道(Dual-N+P-Channel)MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为DIP8。该产品具有优异的导通特性和高度集成的设计,适用于多种电源管理和开关应用场合。

### 4513GD-VB MOSFET 详细参数说明

| 参数       | 值                        |
|------------|---------------------------|
| 封装       | DIP8                      |
| 配置       | Dual N+P-Channel          |
| VDS        | ±30V                      |
| VGS        | 20(±V)                  |
| Vth        | ±1V                       |
| RDS(ON)    | 30mΩ @ VGS=4.5V          |
| RDS(ON)    | 25mΩ @ VGS=10V           |
| ID         | 7.2A(N-Channel)/ -5A(P-Channel) |
| 技术       | Trench                    |

### 4513GD-VB MOSFET 适用领域和模块应用举例

4513GD-VB MOSFET 在多种领域和模块中展现出色的适用性,具体应用包括但不限于:

1. **电源开关和转换器**
  - 由于其优秀的导通特性和高电流承载能力,4513GD-VB 可以广泛应用于电源开关和转换器设计中,帮助提高能量转换效率和系统稳定性。

2. **电动工具和电机驱动**
  - 在需要处理高功率和大电流的电动工具和电机驱动系统中,4513GD-VB 提供可靠的开关和保护功能,确保设备的高效运行和长期可靠性。

3. **工业控制和自动化**
  - 在工业控制系统和自动化设备中,4513GD-VB 的双通道设计和优秀的性能使其成为电流控制、电动执行器和功率开关电路的理想选择,提升设备的精确性和稳定性。

4. **电池管理和充放电控制**
  - 对于需要精确控制电池充放电过程和管理电流的应用,4513GD-VB 的设计能够有效地提供电流管理和保护功能,延长电池寿命并提高系统的安全性。

4513GD-VB MOSFET 的多功能性和高性能使其适合于各种要求严格的应用场合,无论是工业自动化、电源管理还是高功率电子设备,都能够发挥其优势,为系统设计提供稳定可靠的解决方案。

--- 数据手册 ---