### 产品简介
**型号：4521GEH-VB**
4521GEH-VB 是一款高功率的共栅N+P-Channel MOSFET，采用TO252-4L封装。它具有优秀的导通特性和高电流处理能力，适用于要求高性能的电子和电源应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252-4L
- **配置**：Common Drain-N+P-Channel
- **漏源电压（VDS）**：±40V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.8V（N-Channel），-1.7V（P-Channel）
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 14mΩ（N-Channel）@VGS=4.5V
- 14mΩ（P-Channel）@VGS=4.5V
- 16mΩ（N-Channel）@VGS=10V
- 16mΩ（P-Channel）@VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：±50A
- **技术**：沟槽（Trench）
### 应用领域和模块
4521GEH-VB 共栅N+P-Channel MOSFET 可以广泛应用于以下领域和模块：
1. **电源逆变器**：在高功率电源逆变器中，4521GEH-VB 可以作为关键的功率开关装置，支持高效率和稳定的能源转换，适用于太阳能逆变器、UPS系统和工业电源设备。
2. **电动车充电器**：在电动车充电系统中，4521GEH-VB 能够处理高电流和高压情况，确保快速充电和安全运行，适用于电动汽车和混合动力车辆。
3. **工业电机驱动**：用于各种工业电机驱动系统，如电动工具、工业机械和自动化设备，支持高效能的电机控制和高功率输出。
4. **电池管理系统**：在电池管理和保护电路中，4521GEH-VB 可以作为负载开关和保护装置，防止电池过放和过充，保障电池寿命和安全性。
5. **电源分配单元**：用于工业控制系统和通信基站中的电源分配和管理，提供稳定的电压输出和高效的功率转换。
通过其强大的电流处理能力和先进的沟槽技术，4521GEH-VB 在高功率和高可靠性应用中表现出色，为复杂电子系统和工业设备提供了可靠的解决方案。