NSG10752 100V单相高侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
一、概述
NSG10752是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片NSG10752采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力。NSG10752其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达100V。NSG10752采用SOT23-6封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、产品特性
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+100V
兼容3.3V, 5V和15 输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从10V到20V
集成欠压锁定电路
--欠压锁定正向阈值8.9V
--欠压锁定负向阈值8.2V
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时Ton/Toff=130ns/130ns
--延迟匹配时间小于50ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力290mA/600m
符合RoSH标准
SOT23-6
三、应用
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动
四、封装信息
五、简化示意图
