### 产品简介
**型号：60U03GH-VB**
60U03GH-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术，具备低导通电阻和高电流承载能力。该型号适用于中高电流和低压降的功率控制和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：30V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：70A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
60U03GH-VB 适用于多种需要高电流承载能力和低导通电阻的领域和模块，如：
1. **电源管理**：在低压电源开关模块中，特别是需要高电流输出和低压降的应用，如电池管理系统、电源适配器和充电器。
2. **电动工具**：用于电动工具如电动钻、电动锯等的电机驱动控制，支持设备的高效运行和长时间使用。
3. **电动车辆**：在电动汽车和电动摩托车的电动驱动系统中，60U03GH-VB 可以用于电机驱动控制和电池管理系统，提升车辆的动力性能和续航里程。
4. **工业控制**：在工业自动化设备和控制系统中，用于电机驱动、电磁阀控制和其他需要中高电流承载能力的应用。
5. **服务器和数据中心**：在电源转换和电能管理系统中，帮助提升服务器和数据中心的能效和稳定性，支持高性能计算和数据处理需求。
由于其优异的电气特性和高可靠性，60U03GH-VB 在现代电子设备和工业系统中广泛应用，是提升系统效率和可靠性的重要组成部分。