### 一、产品简介
**型号：6679GS-VB**
6679GS-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO263封装，适用于低压功率开关和电源管理应用。具有-30V的漏源电压和-75A的持续漏极电流能力，采用Trench技术工艺，提供了低导通电阻和高效能特性，适合要求高性能和可靠性的电源系统设计。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**：TO263
- **沟道类型**：单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**：-30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-75A
- **技术工艺**：Trench
### 三、应用领域和模块举例
**移动设备充电管理：**
6679GS-VB 可以应用于移动设备充电管理电路中，如手机充电控制模块和电池管理系统，支持快速充电和高效能转换。
**低功耗电源逆变器：**
适用于便携式和低功耗电子设备中的电源逆变器，如便携式电子产品、平板电脑和便携式电源系统，确保高效率的能量转换和节能。
**车载电子系统：**
在汽车和其他车辆的电子系统中，如车载充电器、电动车辆电池管理和车载电源控制单元，保证电能管理和电池寿命的优化。
**工业自动化和控制：**
用于工业自动化和控制系统中的功率开关和电源管理模块，包括PLC控制、机器人和传感器网络中的电源管理和保护功能。
以上示例展示了6679GS-VB MOSFET 在多个领域中的应用，体现了其在低压功率开关和电源管理中的高性能特点和广泛适用性。