6679S-VB TO252一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 6679S-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

**6679S-VB** 是一款单P沟道功率MOSFET,采用TO252封装。该器件采用Trench技术,具有负漏源电压和低阈值电压,适合负载驱动和功率开关应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 6679S-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 11mΩ @ VGS = 4.5V, 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -60A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

**6679S-VB** 可以在以下领域和模块中发挥作用:

1. **电源管理**:
  - 在负载开关和电源管理电路中,用于负载开关控制和反向电源保护,如电池管理系统和充电器中的反向保护。

2. **电动工具**:
  - 作为电动工具中电机驱动电路的一部分,特别是需要负漏源电压和高电流处理能力的设备,如电动钻、电动锯等。

3. **汽车电子**:
  - 在汽车电子系统中,用于电动车充电桩、电池管理系统、负载开关和电动汽车电池保护电路中的应用。

4. **工业控制**:
  - 用于工业自动化设备的电源开关和控制,特别是需要处理负载电流的开关电源和电动机控制系统。

5. **逆变器和电源适配器**:
  - 在逆变器和高效率电源适配器中,作为功率开关器件,支持高频开关和高效率转换。

通过以上示例,可以看出6679S-VB适用于需要负漏源电压和高电流处理能力的多种功率管理和控制应用,为设计者提供了灵活和可靠的解决方案。

--- 数据手册 ---