### 1. 产品简介
**6R190E6-VB TO247 MOSFET**
6R190E6-VB TO247是一款单通道N沟道MOSFET,设计用于高压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术,具备稳定的性能和可靠的工作特性。该型号的主要特点包括低导通电阻和高耐压能力,适用于多种工业和电子应用场合。
### 2. 参数说明
- **包装形式:** TO247
- **通道配置:** 单N沟道
- **耐压(VDS):** 650V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **门阈电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 20A
- **技术特性:** SJ_Multi-EPI
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F8/3D/wKgZomaHaPGAHdPpAAF-GdbNmXE638.png)
### 3. 应用示例
6R190E6-VB TO247 MOSFET适用于以下领域和模块:
- **电源转换器:** 在电源转换器中,这款MOSFET可用于高效率的DC-DC变换器和AC-DC整流器中,因其低导通电阻和高耐压特性,能够有效地减少功率损耗并提高转换效率。
- **工业驱动:** 在工业电机驱动和控制系统中,这款器件能够提供稳定的开关特性和快速的开关速度,适用于各种工业自动化和电动工具驱动。
- **电动车充电器:** 用作电动车充电器中的开关器件,确保高效充电过程并提供必要的电流和电压调节。
这些示例展示了6R190E6-VB TO247 MOSFET在高压和高电流应用中的多功能性和适用性。