### 产品简介详述：
MOSFET型号：6R1K4C6-VB TO252
封装：TO252
构型：单N沟道
耐压（VDS）：650V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(ON)）：1000mΩ @ VGS=10V
漏极电流（ID）：5A
技术：SJ_Multi-EPI
### 详细参数说明：
- **封装类型**：TO252，适合中小功率的表面贴装应用。
- **构型**：单N沟道设计，用于需要较高耐压但中等功率需求的电路。
- **耐压**：650V，适用于电源逆变器和其他功率转换器中的开关和控制。
- **栅极驱动**：支持高达±30V的栅极-源极电压，适合于工业和消费电子设备的控制需求。
- **阈值电压**：3.5V，确保可靠的开启和关闭特性。
- **导通电阻**：1000mΩ @ VGS=10V，适中的导通电阻用于较低功率的电流控制应用。
- **漏极电流**：5A，适合于中等电流负载的开关和驱动。
### 应用示例：
1. **电源逆变器**：6R1K4C6-VB TO252 MOSFET 可以用于低功率逆变器中，如家用逆变器和太阳能逆变器，通过控制电流和电压提高能源转换效率。
2. **LED驱动器**：在LED照明应用中，这种MOSFET可以作为开关和调节装置，帮助实现灯光的高效控制和调节。
3. **消费电子**：适用于笔记本电脑和平板电脑的电源管理，通过控制电池充电和放电来优化设备的电源效率和续航能力。
4. **电动工具**：用于控制电动工具的电机速度和功率输出，帮助提高工作效率和性能稳定性。
这些示例展示了6R1K4C6-VB TO252 MOSFET在不同领域和模块中的应用，强调了其在中小功率电子系统中的有效性和适用性。