### 6R380E6-VB MOSFET 产品简介
6R380E6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力，适合中等功率应用场合。采用了Plannar技术，具有低导通电阻和良好的热稳定性，适用于工业和消费电子设备中的功率控制和开关应用。
### 6R380E6-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**：TO220F
- **极性配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：30V (±)
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：320mΩ @ VGS=10V
- **漏电流 (ID)**：20A
- **技术类型**：Plannar
### 6R380E6-VB MOSFET 应用领域与模块示例
1. **电源逆变器**：6R380E6-VB适用于电源逆变器中的开关电源控制，如工业电力系统和太阳能逆变器。其低导通电阻和稳定的性能确保了能量转换的高效率和可靠性。
2. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，这款MOSFET可以作为充电器控制电路的关键部件，确保高效的电能传输和安全的充电过程。
3. **工业控制系统**：在各种工业控制系统中，6R380E6-VB可以用作电机驱动器和电源管理器件，保证设备的稳定运行和高效能量转换。
综上所述，6R380E6-VB MOSFET适用于中等功率要求的多种应用领域，包括电源逆变器、电动汽车充电桩和工业控制系统，为这些领域的电子设备提供了稳定和高效的功率控制解决方案。